[发明专利]SOI的制造方法在审
| 申请号： | 201911028083.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN110739263A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 彦丙智 | 申请（专利权）人： | 沈阳硅基科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 11340 北京天奇智新知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙涛 |
| 地址： | 110000 辽宁省沈阳*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 氧化层 键合片 退火 键合 时长 边缘撕裂 第一表面 氧化键合 崩裂 成品率 键合力 抛光面 抛光 倒角 受力 填充 贴合 预设 废品 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种SOI的制造方法，其特征在于，包括：
氧化所述第一硅片的第一表面，以在所述第一硅片上形成第一氧化层；
将第二硅片与所述第一氧化层相贴合，并键合所述第一硅片和第二硅片，以得到键合片；
将所述键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；
氧化所述键合片，以在所述第一氧化层周向上形成第二氧化层；
对所述键合片进行倒角；
抛光所述键合片至预设厚度，以得到所述SOI。
2.根据权利要求1所述的SOI的制造方法，其特征在于，
氧化所述键合片时，温度为第二温度；
氧化所述键合片时，氧气流量为第一流量，氢气的流量为第二流量。
3.根据权利要求2所述的SOI的制造方法，其特征在于，
所述第二温度大于等于1000℃，并且小于等于1400℃；
所述第一流量大于等于5slm，并且小于等于10slm；
所述第二流量大于等于5slm，并且小于等于20slm。
4.根据权利要求1所述的SOI的制造方法，其特征在于，
所述第二氧化层的厚度大于等于20000A；
所述第二氧化层的宽度大于等于0.3mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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