[发明专利]SOI的制造方法

说明书

本发明提供了一种SOI的制造方法，包括：氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成第一氧化层；将第二硅片与第一氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；氧化键合片，以在第一氧化层周向上形成第二氧化层；对氧化后的键合片进行倒角，抛光键合片至预设厚度，以得到SOI。本发明速提供的SOI的制造方法，在第一氧化层的四周形成第二氧化层，使得第一硅片和第二硅片之间未键合的部分被第二氧化层填充，进而增加了第一硅片和第二硅片之间的键合力，避免键合片的边缘撕裂或崩裂，减少了废品数量，提升了SOI的成品率；并且抛光面受力更加均匀。

技术领域

本发明涉及SOI技术领域，具体而言，涉及一种SOI的制造方法。

背景技术

目前，随着硅材料加工技术的不断发展，人们对晶片的加工质量已越来越重视。

在相关技术中，制造SOI(Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅)时，通常采用键合方式来实现，即在两硅片之中，至少在其中一方形成氧化层，并在室温下将两硅片贴合，形成键合体，但由于键合面的边缘键合力差，使得在进行后续工艺时，易造成硅片边缘撕裂或崩裂，甚至导致SOI报废，降低了SOI的成品率。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术或相关技术中存在的技术问题之一。

为此，本发明的第一方面提出一种SOI的制造方法。

有鉴于此，本发明的第一方面提供了一种SOI的制造方法，包括：氧化第一硅片的第一表面，以在第一硅片上形成第一氧化层；将第二硅片与第一氧化层相贴合，并键合第一硅片和第二硅片，以得到键合片；将键合片退火，退火温度为第一温度，退火时长为第一时长；氧化键合片，以在第一氧化层周向上形成第二氧化层；对键合片进行倒角；抛光键合片至预设厚度，以得到SOI。

本发明速提供的SOI的制造方法，在第一硅片与第二硅片键合后得到键合片，第一氧化层位于第一硅片和第二硅片之间，将键合片氧化，进而在第一氧化层的四周形成第二氧化层，使得第一硅片和第二硅片之间未键合的部分被第二氧化层填充，进而增加了第一硅片和第二硅片之间的键合力，避免键合片的边缘撕裂或崩裂，减少了废品数量，提升了SOI的成品率；并且由于第二氧化层可支撑第一硅片和第二硅片，使得抛光裂片后的键合片时，抛光面受力更加均匀，确保抛光面更加平整，进而获得高品质的SOI。

另外，本发明提供的上述技术方案中的SOI的制造方法还可以具有如下附加技术特征：

在上述技术方案中，优选地，氧化键合片时，温度为第二温度；氧化键合片时，氧气流量为第一流量，氢气的流量为第二流量。

在该技术方案中，在第二温度下，向氧化设备内通入流量为第一流量的氧气和流量为第二流量氢气，确保氧化键合片时，可在第一硅片与第二硅片之间形成合适宽度的第二氧化层，进而提升第一硅片与第二硅片之间的键合力。

在上述任一技术方案中，优选地，第二温度大于等于1000℃，并且小于等于1400℃；第一流量大于等于5slm(升每分钟)，并且小于等于10slm；第二流量大于等于5slm，并且小于等于20slm。

在上述任一技术方案中，优选地，第二氧化层的厚度大于等于20000A (硅原子直径)；第二氧化层的宽度大于等于0.3mm。

在该技术方案中，第二温度为1000℃至1400℃，第一流量为5slm至 10slm，第二流量为5slm至20slm，该氧化参数可确保在第一硅片和第二硅片之间形成厚度大于等于20000A，宽度大于等于0.3mm的第二氧化层，进而确保第一硅片与第二硅片之间的键合力。

本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明