[发明专利]一种制造半导体器件的方法和半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括半导体衬底(1)，其特征在于：所述半导体衬底(1)的上方设置有硅胶板(2)，所述硅胶板(2)的上方设置有金属板(3)，所述金属板(3)的上方设置有掩膜层(4)，所述半导体衬底(1)的下方设置有平衡层(7)。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述硅胶板(2)的底部设置有多个延伸块(5)，所述延伸块(5)延伸至半导体衬底(1)的内部，所述金属板(3)的底部设置有多个贯穿段(6)，所述贯穿段(6)贯穿硅胶板(2)并延伸至半导体衬底(1)的内部。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件，其特征在于：所述半导体衬底(1)、硅胶板(2)与金属板(3)的两侧均共同设置有环氧树脂板(8)。

4.根据权利要求2所述的一种半导体器件，其特征在于：所述延伸块(5)为硅胶材质制成，所述贯穿段(6)为绝缘材料制成。

5.一种制造半导体器件的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1.准备好半导体衬底(1)，然后将半导体衬底(1)的表面进行酸洗，半导体衬底(1)酸洗处理之后，使用去离子水对其进行再次冲洗，然后进行干燥处理，最后将半导体衬底(1)送入到抛光设备中进行表面抛光处理；

S2.在半导体衬底(1)的表面开设与延伸块(5)和贯穿段(6)相对应的孔槽，将硅胶板(2)置于半导体衬底(1)的表面，使延伸块(5)与半导体衬底(1)卡接起来，然后再将半导体衬底(1)送入到真空环境中，同时往真空环境中通入氮气，真空环境中的氮气量到达预设值时，调节真空环境中的温度到100-120℃的范围内，然后利用压合装置将硅胶板(2)进行热压，使其紧贴在半导体衬底(1)的表面；

S3.取出压合有硅胶板(2)的半导体衬底(1)，将金属板(3)置于硅胶板(2)的表面，使其贯穿段(6)延伸到半导体衬底(1)中，利用硅胶板(2)表面的温度将金属板(3)压合在硅胶板(2)的表面；

S4.在金属板(3)的表面均匀喷涂一层导电胶，然后将掩膜层(4)，粘接在金属板(3)的表面，在半导体衬底(1)的底部均匀涂抹一层胶水，将平衡层(7)粘接在半导体衬底(1)的底部；

S5.将半导体衬底(1)、硅胶板(2)与金属板(3)的两侧均喷涂一层胶水，然后在其两侧粘接上环氧树脂板(8)，最后将完成制作的器件送入到加热装置中，加热5-10min后取出自然冷却即可。