[发明专利]一种制造半导体器件的方法和半导体器件

说明书

本发明提供一种制造半导体器件的方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。该制造半导体器件的方法和半导体器件包括半导体衬底，所述半导体衬底的上方设置有硅胶板，所述硅胶板的上方设置有金属板，所述金属板的上方设置有掩膜层，所述半导体衬底的下方设置有平衡层，所述硅胶板的底部设置有多个延伸块，所述延伸块延伸至半导体衬底的内部，所述金属板的底部设置有多个贯穿段，所述贯穿段贯穿硅胶板并延伸至半导体衬底的内部。通过在半导体衬底与金属板之间设置硅胶板，从而有效的屏蔽了自身静电对半导体器件本体的影响，使得半导体器件中对抗静电效果明显，能够有效的改善静电对半导体器件工作的影响。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体为一种制造半导体器件的方法和半导体器件。

背景技术

半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件，可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换，半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材，为了与集成电路相区别，有时也称为分立器件，绝大部分二端器件的基本结构是一个PN结。

许多半导体器件在使用的时候会产生一定量的静电，从而对半导体器件的运行造成一定的不利影响，目前，半导体器件中对抗静电干扰采取的措施效果一般，无法有效的改善静电对半导体器件的影响。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种制造半导体器件的方法和半导体器件，解决了半导体器件中对抗静电干扰采取的措施效果一般，无法有效的改善静电对半导体器件影响的问题。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种半导体器件，包括半导体衬底，所述半导体衬底的上方设置有硅胶板，所述硅胶板的上方设置有金属板，所述金属板的上方设置有掩膜层，所述半导体衬底的下方设置有平衡层。

优选的，所述硅胶板的底部设置有多个延伸块，所述延伸块延伸至半导体衬底的内部，所述金属板的底部设置有多个贯穿段，所述贯穿段贯穿硅胶板并延伸至半导体衬底的内部。

优选的，所述半导体衬底、硅胶板与金属板的两侧均共同设置有环氧树脂板。

优选的，所述延伸块为硅胶材质制成，所述贯穿段为绝缘材料制成。

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

S1.准备好半导体衬底，然后将半导体衬底的表面进行酸洗，半导体衬底酸洗处理之后，使用去离子水对其进行再次冲洗，然后进行干燥处理，最后将半导体衬底送入到抛光设备中进行表面抛光处理；

S2.在半导体衬底的表面开设与延伸块和贯穿段相对应的孔槽，将硅胶板置于半导体衬底的表面，使延伸块与半导体衬底卡接起来，然后再将半导体衬底送入到真空环境中，同时往真空环境中通入氮气，真空环境中的氮气量到达预设值时，调节真空环境中的温度到100-120℃的范围内，然后利用压合装置将硅胶板进行热压，使其紧贴在半导体衬底的表面；

S3.取出压合有硅胶板的半导体衬底，将金属板置于硅胶板的表面，使其贯穿段延伸到半导体衬底中，利用硅胶板表面的温度将金属板压合在硅胶板的表面；

S4.在金属板的表面均匀喷涂一层导电胶，然后将掩膜层，粘接在金属板的表面，在半导体衬底的底部均匀涂抹一层胶水，将平衡层粘接在半导体衬底的底部；

S5.将半导体衬底、硅胶板与金属板的两侧均喷涂一层胶水，然后在其两侧粘接上环氧树脂板，最后将完成制作的器件送入到加热装置中，加热5-10min后取出自然冷却即可。

(三)有益效果

本发明提供了一种制造半导体器件的方法和半导体器件。具备以下有益效果：