[发明专利]器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统有效

专利信息
申请号: 201911029949.3 申请日: 2019-10-28
公开(公告)号: CN110879343B 公开(公告)日: 2021-09-24
发明(设计)人: 冯润渊;范新愿;谭林山 申请(专利权)人: 深圳市晶导电子有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 虞凌霄
地址: 518101 广东省深圳市宝安*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 器件 高温 漏电 特性 测试 方法 系统
【权利要求书】:

1.一种器件高温漏源漏电流特性的测试方法,包括:

对被测器件施加反偏电压,使所述被测器件被反向击穿;

检测所述被测器件在反向击穿状态下塑封体的温度;

检测所述塑封体的温度达到第一温度时所述被测器件漏源漏电流的实际值;

根据所述漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格;

其中,利用被测器件反向击穿电流产生的功耗导致被测器件的塑封体发热,使得被测器件塑封体达到第一温度。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格的步骤包括:

获取所述被测器件漏源漏电流的最大值;

比较所述漏源漏电流的实际值和最大值;

当所述实际值小于等于所述最大值时,判定所述被测器件合格;

当所述实际值大于所述最大值时,判定所述被测器件不合格。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述反偏电压是通过晶体管特性图示仪施加在所述被测器件漏端和源端之间的电压,所述晶体管特性图示仪的正极测试端口连接所述被测器件的漏端,负极测试端连接所述被测器件的栅极和源端。

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述塑封体的温度是通过点温计获得的,所述被测器件为功率场效应晶体管。

5.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述被测器件漏源漏电流的最大值为25微安。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一温度小于等于135摄氏度。

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一温度大于等于80摄氏度且小于等于110摄氏度。

8.一种器件高温漏源漏电流特性测试系统,包括:

测试装置,所述测试装置的正极测试端口与被测器件的输入端电连接,所述测试装置的负极测试端与所述被测器件的控制端和输出端电连接,所述测试装置用于向所述被测器件提供反向偏压,使所述被测器件被反向击穿,所述测试装置还用于测量所述被测器件漏源漏电流的实际值;

温度检测装置,所述温度检测装置的测试端与所述被测器件的塑封体电连接,所述温度检测装置用于检测所述塑封体的温度;

判断装置,所述判断装置与所述测试装置电连接,所述判断装置用于根据所述温度检测装置测得所述塑封体的温度达到第一温度时,所述测试装置检测的所述被测器件漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格;

其中,利用被测器件反向击穿电流产生的功耗导致被测器件的塑封体发热,使得被测器件塑封体达到第一温度。

9.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述判断装置还用于设置所述被测器件漏源漏电流的最大值,所述判断装置还用于比较所述被测器件漏源漏电流的最大值和所述被测器件漏源漏电流的实际值,当所述实际值小于等于所述最大值时,判定所述被测器件合格;当所述实际值大于所述最大值时,判定所述被测器件不合格。

10.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述测试装置为晶体管特性图示仪。

11.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述温度检测装置为点温计,所述被测器件为功率场效应晶体管。

12.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述被测器件漏源漏电流的最大值为25微安。

13.根据权利要求8所述的测试系统,其特征在于,所述第一温度小于等于135摄氏度。

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