[发明专利]器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统

说明书

本发明涉及一种器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统。该方法包括：对被测器件施加反偏电压，使被测器件被反向击穿；检测被测器件在反向击穿状态下塑封体的温度；检测所述塑封体的温度达到第一温度时被测器件漏源漏电流的实际值；根据所述漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格。本申请是由被测器件内部产生的温度实现高温测试环境的，这与被测器件实际工作过程中产生温度的原理一样，因此，该测试方法更切合实际应用，更能真实的反映被测器件的高温漏源漏电流特性。并且本申请的测试方法不需要使用专用的反偏测试设备，测试过程简单，测试时间一般为10分钟，测试时间较短，实现了简单、快速测试器件高温漏电流特性的目的。

技术领域

本发明涉及半导体器件测试领域，特别是涉及一种器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统。

背景技术

功率场效应晶体管器件(POWER MOSFET)，广泛的应用于各类电子电路中，主要用于功率放大和开关。开发人员会根据客户的要求及对产品质量、寿命的要求，对功率场效应晶体管的工作温度进行控制，由于功率场效应晶体管在工作时，自身的损耗会产生一定的热量，功率场效应晶体管长时间工作在高温状态下；高温反偏状态下，其漏极-源极之间的漏电流(Idss)对功率场效应晶体管的工作温度有着直接的影响，因此，需要对器件进行的漏电流的测试。示例性的的漏电流测试主要按照国家标准中的高温反偏测试(HTRB，HighTemperature Reverse Bias)进行测试，但这种测试往往耗时较长，典型的测试时间为96小时，且需使用专用反偏测试设备才能实现，测试过程也很复杂。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的器件高温漏源漏电流特性的测试方法及测试系统。

一种器件高温漏源漏电流特性的测试方法,包括：

对被测器件施加反偏电压，使被测器件被反向击穿；

检测被测器件在反向击穿状态下塑封体的温度；

检测所述塑封体的温度达到第一温度时被测器件漏源漏电流的实际值；

根据所述漏源漏电流的实际值判断所述被测器件是否合格。

在其中一个实施例中，根据所述漏源漏电流的实际值判断被测器件是否合格的步骤包括：

获取被测器件漏源漏电流的最大值；

比较所述漏源漏电流的实际值和最大值；

当所述实际值小于等于所述最大值时，判定被测器件合格；

当所述实际值大于所述最大值时，判定被测器件不合格。

在其中一个实施例中，反偏电压是通过晶体管特性图示仪施加在被测器件漏端和源端之间的电压，所述晶体管特性图示仪的正极测试端口连接被测器件的漏端，负极测试端连接被测器件的栅极和源端。

在其中一个实施例中，所述塑封体的温度是通过点温计获得的，被测器件为功率场效应晶体管。

在其中一个实施例中，被测器件漏源漏电流的最大值为25微安。

在其中一个实施例中，所述塑封体的第一温度小于等于135摄氏度。

在其中一个实施例中，所述塑封体的第一温度大于等于80摄氏度且小于等于110摄氏度。