[发明专利]一种太阳能电池制备方法

说明书

本发明公开了一种太阳能电池制备方法，在通过激光照射发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结之后，会刻蚀选择性发射结背向衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的预设区域的掺杂浓度大于选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度。通过刻蚀选择性发射结背向衬底层一侧表面预设深度，可以去除选择性发射结表面因激光照射而减少载流子浓度的区域，从而可以实现选择性发射结表面激光照射区域与非激光照射区域表面浓度的独立调节，进一步提升太阳能电池的转换效率。

技术领域

本发明涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种太阳能电池制备方法。

背景技术

随着PERC技术在单晶硅太阳电池领域的量产应用，PERC单晶硅太阳电池的量产效率已经在21.5％以上，相比之前的常规太阳电池(量产效率20.2％左右)有十分显著的飞跃。为满足电池转换效率进一步提升的需求，现在激光掺杂选择性发射结技术正在越来越多地被太阳电池厂引入到量产。

激光掺杂选择性发射结技术在磷扩散后的轻掺杂高方阻的发射结上进行选择性地局部激光照射，被激光照射的区域形成重掺杂低方阻的发射结。但是在现有技术中，激光掺杂选择性发射结技术对太阳能电池的转换效率的提升有限，所以如何提高激光掺杂选择性发射结技术对太阳能电池的转换效率的提升是本领域技术人员急需解决的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池制备方法，可以有效提高激光掺杂选择性发射结技术对太阳能电池的转换效率的提升。

为解决上述技术问题，本发明提供一种太阳能电池制备方法，包括：

在衬底层的预设表面加入掺杂离子以形成发射结；

通过激光照射所述发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结；

刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的所述预设区域的掺杂浓度大于所述选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度；

设置覆盖所述预设区域的第一电极，以及与所述衬底层电连接的第二电极，以制成所述太阳能电池。

可选的，所述在衬底层的预设表面加入掺杂离子以形成发射结包括：

在p型衬底层的预设表面进行磷扩散以形成发射结。

可选的，所述在p型衬底层的预设表面进行磷扩散以形成发射结包括：

在p型衬底层的预设表面进行磷扩散以形成发射结；所述发射结表面掺杂浓度不小于3×10²⁰/cm³。

可选的，所述通过激光照射所述发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结包括：

通过激光照射所述发射结表面的预设区域，以形成选择性发射结；所述预设区域的表面掺杂浓度不小于2.8×10²⁰/cm³。

可选的，所述刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的所述预设区域的掺杂浓度大于所述选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度包括：

通过酸腐蚀溶液刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度，以使暴露出的所述预设区域的掺杂浓度大于所述选择性发射结表面中非预设区域的掺杂浓度。

可选的，所述酸腐蚀溶液包括质量浓度为0.1％-2％的氢氟酸、质量浓度为30％-70％的硝酸。

可选的，所述刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度包括：

刻蚀所述选择性发射结背向所述衬底层一侧表面预设深度；所述预设深度的取值范围为20nm至150nm，包括端点值。