[发明专利]一种基于流体压强的非接触式吸盘

说明书

本发明涉及硅晶片封装吸附设备技术领域，且公开了一种基于流体压强的非接触式吸盘，包括吸盘主体，吸盘主体顶端的中部设有送风管路，且送风管路与吸盘主体的内腔连通，送风管路外表面的底部且位于吸盘主体的顶部固定安装有安装支架。该基于流体压强的非接触式吸盘，通过吸盘主体和分流导板的设置，并将送风管路中流向吸盘主体中的高速气流引导成沿着其内壁流动，并带动吸盘主体内腔的气流随之一起向外流动，致使吸盘主体内腔中的气体流速较大，而与大气压强之间形成压力差，产生向上的托举力来克服硅晶片所受的重力进而将其悬浮起来，实现了对硅晶片的非接触式吸附，有效的避免了硅晶片在移动或封装时对其造成刮擦损伤的问题。

技术领域

本发明涉及硅晶片封装吸附设备技术领域，具体为一种基于流体压强的非接触式吸盘。

背景技术

在半导体制造行业中对于高精密的硅晶片封装都会使用到吸盘来搬运移动，而现有的吸盘结构在吸附硅晶片时都会与其表面发生接触，在搬运移动的过程中由于吸附力会对其表面造成刮擦、损伤、污染等问题，无法有效的保证硅晶片表面的封装质量，而在专利申请号CN201711353905.7中公开了一种非接触式吸盘，通过在吸盘体的上方形区域形成负压以吸附产品，但是这种方式所产生的吸附力主要作用于硅晶片的竖直方向，在其上下移动时不会造成影响，但当其前后左右移动时，由于惯性力的作用会导致吸附在的硅晶片与吸盘体的中心位置之间出现偏移，进而导致硅晶片各位置处的压强发生变化，使其各位置处的受力不均衡，进而出现吸附的硅晶片在搬运移动的过程中出现倾斜脱落的现象，稳定性和可靠性较差。

发明内容

(一)解决的技术问题

本发明提供了一种基于流体压强的非接触式吸盘，具备实现对硅晶片的非接触式吸附、不会出现硅晶片倾斜脱落的现象、吸附的牢固性及稳定性较高的优点，解决了现有的吸盘结构在吸附硅晶片时都会与其表面发生接触，在搬运移动的过程中由于吸附力会对其表面造成刮擦、损伤、污染等问题，无法有效的保证硅晶片表面的封装质量，而在专利申请号CN201711353905.7中公开了一种非接触式吸盘，通过在吸盘体的上方形区域形成负压以吸附产品，但是这种方式所产生的吸附力主要作用于硅晶片的竖直方向，在其上下移动时不会造成影响，但当其前后左右移动时，由于惯性力的作用会导致吸附在的硅晶片与吸盘体的中心位置之间出现偏移，进而导致硅晶片各位置处的压强发生变化，使其各位置处的受力不均衡，出现吸附的硅晶片在搬运移动的过程中出现倾斜脱落的问题。

(二)技术方案

本发明提供如下技术方案：一种基于流体压强的非接触式吸盘，包括吸盘主体，所述吸盘主体顶端的中部设有送风管路，且送风管路与吸盘主体的内腔连通，所述送风管路外表面的底部且位于吸盘主体的顶部固定安装有安装支架，所述送风管路的内壁设有固定支架，所述固定支架的底端贯穿并延伸至吸盘主体内部且固定安装有分流导板，所述吸盘主体内腔的底部均匀的设有三组侧面挡板，三组所述侧面挡板的内部且位于分流导板的正下方设有硅晶片。

优选的，所述吸盘主体设为半球型空心结构。

优选的，所述分流导板的上半部设为与吸盘主体的内壁弧度相同的弧形结构，且吸盘主体与分流导板之间的间隙为3～5mm，而分流导板的下半部设为曲面锥形结构。

优选的，所述侧面挡板的顶端设有弧形结构，且三组侧面挡板中内切圆的直径大于硅晶片的直径2mm。

(三)有益效果

本发明具备以下有益效果：

1、该基于流体压强的非接触式吸盘，通过吸盘主体和分流导板的设置，并将送风管路中流向吸盘主体中的高速气流引导成沿着其内壁流动，并带动吸盘主体内腔的气流随之一起向外流动，致使吸盘主体内腔中的气体流速较大，而与大气压强之间形成压力差，产生向上的托举力来克服硅晶片所受的重力进而将其悬浮起来，实现了对硅晶片的非接触式吸附，有效的避免了硅晶片在移动或封装时对其造成刮擦损伤的问题。