[发明专利]半导体封装件在审
申请号: | 201911035147.3 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN111146178A | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李韩亐;高永宽 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/485;H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:
框架,具有腔并且具有将彼此相对的第一表面和第二表面连接的布线结构;
连接结构,设置在所述框架的所述第一表面上,并且包括连接到所述布线结构的第一重新分布层;
半导体芯片,设置在所述连接结构上并位于所述腔中,并且具有连接到所述第一重新分布层的连接垫;
包封剂,包封位于所述腔中的所述半导体芯片,并且覆盖所述框架的所述第二表面;以及
第二重新分布层,具有嵌入在所述包封剂中并从所述包封剂的一个表面暴露的重新分布图案以及贯穿所述包封剂将所述布线结构和所述重新分布图案连接的连接过孔,
其中,所述连接过孔包括连接到所述布线结构的第一过孔以及设置在所述第一过孔上并将所述重新分布图案连接到所述第一过孔的第二过孔,所述第二过孔的下表面具有比所述第一过孔的上表面的面积大的面积,并且所述第一过孔和所述第二过孔具有一体的结构。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述连接过孔包括位于与所述包封剂的界面处的种子层和设置在所述种子层上的镀层,并且所述种子层从所述第一过孔的底表面和侧表面延伸到所述第二过孔的侧表面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述重新分布图案连接到所述第二过孔的外围的区域。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第二过孔的中心偏离所述第一过孔的中心。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件,其中,
所述第二过孔的所述中心设置为比所述第一过孔的所述中心靠近所述重新分布图案的连接部分。
6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第二过孔包括布置为在水平方向上彼此部分地叠置的多个过孔。
7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第二过孔具有与所述重新分布图案的厚度不同的高度。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述连接过孔具有上表面,在所述上表面中,与所述第一过孔的所述中心邻近的部分凹入。
9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述重新分布图案的暴露的表面与所述包封剂的上表面基本共面。
10.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述重新分布图案的一部分具有填充有与所述连接过孔的金属相同的金属的修复部分。
11.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,
所述修复部分具有与所述第二过孔的高度基本相同的厚度。
12.根据权利要求10所述的半导体封装件,其中,
所述修复部分包括镀层以及位于所述镀层与所述包封剂之间以及位于所述镀层与所述重新分布图案之间的种子层。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,
所述第一重新分布层和所述第二重新分布层分别具有多个第一垫区域和多个第二垫区域,并且
所述半导体封装件还包括:
第一钝化层,设置在所述包封剂的表面上,并且具有使所述多个第一垫区域暴露的开口;以及第二钝化层,设置在所述连接结构的下表面上,并且具有使所述多个第二垫区域暴露的开口。
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