[发明专利]一种后掺杂式N型接触钝化电池

权利要求书

1.一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、设于所述N型硅片正面一侧的正面结构以及设于所述N型硅片背面一侧的背面结构，所述背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，所述隧穿层、所述n+多晶硅层以及所述背面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，其特征在于，所述N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，所述本征多晶硅层设于所述n+多晶硅层与所述背面钝化层之间，所述n++重掺杂区域贯穿所述本征多晶硅层，所述n++重掺杂区域的内端与所述n+多晶硅层接触，所述背面金属电极贯穿所述背面钝化层，所述背面金属电极的内端与所述n++重掺杂区域的外端接触，其中，所述n+多晶硅层的厚度为10-50nm，所述本征多晶硅层的厚度为50-250nm；

所述本征多晶硅层为通过不通磷源沉积而成；

所述背面结构上印刷有金属浆料，所述金属浆料的印刷区域与所述n++重掺杂区域对应。

2.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述n++重掺杂区域的掺杂剂为磷。

3.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述n++重掺杂区域为通过激光掺杂工艺形成的n++重掺杂区域。

4.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述隧穿层为沉积形成的隧穿层。

5.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述n+多晶硅层为沉积形成的n+多晶硅层。

6.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述本征多晶硅层为沉积形成的本征多晶硅层。

7.如权利要求1所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述正面结构包括p+掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极，所述p+掺杂层和所述正面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述正面金属电极贯穿所述正面钝化层，所述正面金属电极的内端与所述p+掺杂层接触。

8.如权利要求7所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述p+掺杂层的掺杂剂为三溴化硼。

9.如权利要求7所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述p+掺杂层为通过气载掺杂剂的方式形成的p+掺杂层。

10.如权利要求7所述的N型接触钝化电池，其特征在于，所述正面钝化层和所述背面钝化层均为减反钝化膜。