[发明专利]一种后掺杂式N型接触钝化电池

说明书

本发明公开了一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、正面结构以及背面结构，背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，隧穿层、n+多晶硅层以及背面钝化层沿渐远N型硅片的方向依次设置，N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，本征多晶硅层设于n+多晶硅层与背面钝化层之间，n++重掺杂区域贯穿本征多晶硅层，n++重掺杂区域的内端与n+多晶硅层接触，背面金属电极贯穿背面钝化层，背面金属电极的内端与n++重掺杂区域的外端接触。本发明既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。

技术领域

本发明设计太阳能电池领域，具体涉及一种后掺杂式N型接触钝化电池。

背景技术

参见图1，为现有技术中的N型接触钝化电池，包括N型硅片11、设于N型硅片11正面一侧的正面结构以及设于N型硅片11背面一侧的背面结构，正面结构包括p+掺杂层12、正面钝化层13以及正面金属电极14，p+掺杂层12和正面钝化层13沿渐远N型硅片11的方向依次设置，正面金属电极14贯穿正面钝化层13，正面金属电极14的内端与p+掺杂层12接触，背面结构包括隧穿层15、n+多晶硅层16、背面钝化层17以及背面金属电极18，隧穿层15、n+多晶硅层16以及背面钝化层17沿渐远N型硅片11的方向依次设置，背面金属电极18贯穿背面钝化层17，背面金属电极18的内端与n+多晶硅层16的外端接触。制作时，先沉积一层1-2nm的隧穿层，然后沉积均匀厚度的n+多晶硅层，为了保证在后续金属化过程中，金属浆料不至于烧穿n+多晶硅层，这层n+多晶硅层的厚度必须大于100nm，但n+多晶硅层的厚度越大，背面的自由载流子吸收越严重。

发明内容

本发明的目的是提供一种后掺杂式N型接触钝化电池，既可以减少背面的自由载流子吸收，提升双面电池的双面率，又消除金属化区域的金属复合，进一步提升N型接触钝化电池转化效率。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种后掺杂式N型接触钝化电池，包括N型硅片、设于所述N型硅片正面一侧的正面结构以及设于所述N型硅片背面一侧的背面结构，所述背面结构包括隧穿层、n+多晶硅层、背面钝化层以及背面金属电极，所述隧穿层、所述n+多晶硅层以及所述背面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述N型接触钝化电池还包括本征多晶硅层和n++重掺杂区域，所述本征多晶硅层设于所述n+多晶硅层与所述背面钝化层之间，所述n++重掺杂区域贯穿所述本征多晶硅层，所述n++重掺杂区域的内端与所述n+多晶硅层接触，所述背面金属电极贯穿所述背面钝化层，所述背面金属电极的内端与所述n++重掺杂区域的外端接触，其中，所述n+多晶硅层的厚度为10-50nm，所述本征多晶硅层的厚度为50-250nm。

进一步的，所述n++重掺杂区域的掺杂剂为磷。

进一步的，所述n++重掺杂区域为通过激光掺杂工艺形成的n++重掺杂区域。

进一步的，所述隧穿层为沉积形成的隧穿层。

进一步的，所述n+多晶硅层为沉积形成的n+多晶硅层。

进一步的，所述本征多晶硅层为沉积形成的本征多晶硅层。

进一步的，所述正面结构包括p+掺杂层、正面钝化层以及正面金属电极，所述p+掺杂层和所述正面钝化层沿渐远所述N型硅片的方向依次设置，所述正面金属电极贯穿所述正面钝化层，所述正面金属电极的内端与所述p+掺杂层接触。

进一步的，所述p+掺杂层的掺杂剂为三溴化硼。

进一步的，所述p+掺杂层为通过气载掺杂剂的方式形成的p+掺杂层。

进一步的，所述正面钝化层和所述背面钝化层均为减反钝化膜。