[发明专利]一种高压DMOS器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201911037547.8 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110690271A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李冰 | 申请（专利权）人： | 浙江艾水科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 316000 浙江省舟山市定海区舟*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漂移层 高阻 扩散层 陷阱 衬底 沟道层 高压DMOS器件 隔离层 耐压性 氧化铍 漏极 内嵌 源极 背面 制作 | ||
1.一种高压DMOS器件，其特征在于：包括p型半导体衬底(1)，所述p型半导体衬底(1)的正面设有n-高阻漂移层(2)，所述p型半导体衬底(1)的背面设有氧化铍隔离层(12)，所述n-高阻漂移层(2)的两侧设有n型外延层(3)，所述n型外延层(3)的高度小于n-高阻漂移层(2)的高度，所述n型外延层(3)和n-高阻漂移层(2)之间构成P型掺杂陷阱(4)，所述p型掺杂陷阱(4)内设有注入沟道层(5)，所述注入沟道层(5)包括设置在p型掺杂陷阱(4)内的第一扩散层(6)，所述第一扩散层(6)的上方设有第二扩散层(7)，所述p型掺杂陷阱(4)内嵌设有源极(8)，所述n-高阻漂移层(2)的顶部接有漏极(9)。
2.根据权利要求1所述的一种高压DMOS器件，其特征在于，所述第一扩散层(6)和第二扩散层(7)形成具有一定浓度梯度的沟道。
3.根据权利要求3所述的一种高压DMOS器件，其特征在于，所述第一扩散层(6)为硼扩散层，硼的浓度为1015cm-2。
4.根据权利要求3所述的一种高压DMOS器件，其特征在于，所述第二扩散层(7)为磷扩散层，磷的浓度为1013cm-2。
5.根据权利要求1所述的一种高压DMOS器件，其特征在于，所述n-高阻漂移区(2)的顶部设有场氧化层(10)，所述场氧化层(10)上设有覆盖于注入沟道层(5)上方和场氧化层(10)侧端的栅极层(11)。
6.根据权利要求1所述的一种高压DMOS器件，其特征在于，所述场氧化层(10)为二氧化硅层。
7.根据权利要求1-6所述的一种高压DMOS器件的制作方法，其特征在于，在p型半导体衬底生成n-高阻漂移层，然后在n-高阻漂移层两侧生长形成n型外延层，使得其中n型外延层的高度小于n-高阻漂移层的高度，已形成p型掺杂陷阱，在p型掺杂陷阱内注入硼溶液，并进行热扩散，形成第一扩散层，然后在p型掺杂陷阱内注入磷溶液，并进行热扩散，形成第二扩散层，两者相互配合形成具有有一定浓度梯度的注入沟道层；在n-高阻漂移区的顶部生长场氧化层，场氧化层上设有覆盖于注入沟道层上方和场氧化层侧端的栅极层。
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