[发明专利]一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法

权利要求书

1.一种双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；

S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；

S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；

S4：在步骤S3的基础上形成由金属氧化物形成的图案化的半导体层；

S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。

2.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S3中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，其中，漏极的第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。

3.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S4中，所述半导体层分别在缓冲层两端的斜面处形成第一沟道和第二沟道，第一沟道为半导体层与漏极一侧接触处，第二沟道为半导体层与漏极另一侧接触处。

4.根据权利要求1所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S3包括如下具体步骤：

S31：在步骤S2的基础上涂布第一光阻层，第一光阻层在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；

S32：对第一光阻层进行灰化处理，使得第一光阻层的宽度缩小；

S33：通过对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面。

5.根据权利要求4所述的双沟道立体TFT器件的制造方法，其特征在于，步骤S31中，第一光阻层包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角，第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。

6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，在权利要求1-5任一所述的双沟道立体TFT器件的制造方法的基础上，还包括如下步骤：

S6：在步骤S5的基础上先依序沉积第一绝缘层和有机绝缘层，然后在漏极开设接触孔；

S7：在步骤S6的基础上形成图形化的像素电极，像素电极通过接触孔与漏极连接。

7.一种双沟道立体TFT器件，其特征在于，包括位于底层的源极、位于源极上方且相对设置的第一沟道和第二沟道、位于第一沟道和第二沟道上方的漏极以及位于漏极上的栅极，其中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，所述第一部分在源极上的投影与源极之间具有夹角，第一沟道和第二沟道分别位于第一部分的两侧；第二部分在源极上的投影位于源极的下方。

8.根据权利要求7所述的双沟道立体TFT器件，其特征在于，还包括位于源极和漏极之间的缓冲层，第一沟道和第二沟道分别位于缓冲层两端的斜面上。

9.根据权利要求7所述的双沟道立体TFT器件，其特征在于，所述夹角为45度。

10.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求7-9任一所述的双沟道立体TFT器件。