[发明专利]一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法

说明书

本发明提供一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法，所述双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；S4：在步骤S3的基础上形成由金属氧化物形成的图案化的半导体层；S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。本发明能显著提高TFT器件的宽长比，从而提高显示器件的开口率,同时工艺较为简单。

技术领域

本发明涉及显示面板的技术领域，尤其涉及一种双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法。

背景技术

显示面板通过TFT器件使得电流进入显示面板内，TFT器件具有两种形式的，一种为栅极位于下方的底栅结构的TFT器件，另一种为栅极位于上方的顶栅结构的TFT器件。如图1和图2所示，TFT器件包括位于底部或顶部的栅极10、与栅极10重叠设置的半导体层20、位于栅极和半导体层20之间的绝缘层30、均与半导体层20接触的源极41和漏极42，对于顶栅结构的TFT器件，还设有位于顶部的金属遮光层50和位于金属遮光层50和半导体层20之间的第二绝缘层60。

不论是底栅结构的TFT器件，还是顶栅结构的TFT器件，TFT器件的宽长比越大，通过的电流越大，因此较高的宽长比的TFT器件可以做的更小，可以显著提高显示产品的开口率。目前TFT器件的宽长比受制于曝光精度,运用于显示产品的中的TFT器件的沟道长W通常在2um以上，所以TFT器件的宽长比比较大。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能提高TFT器件的宽长比且提高开口率的双沟道立体TFT器件、显示面板及其制造方法。

本发明提供一种双沟道立体TFT器件的制造方法，包括如下步骤：

S1：在基板上沉积第一金属层并形成图形化的数据线；

S2：在步骤S1的基础上首先沉积覆盖数据线的缓冲层，然后沉积位于缓冲层上的第二金属层；

S3：在步骤S2的基础上对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面；

S4：在步骤S3的基础上形成由金属氧化物形成的图案化的半导体层；

S5：在步骤S4的基础上先沉积栅极绝缘层，然后再形成图案化的扫描线。

优选地，步骤S3中，漏极包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，其中，漏极的第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。

优选地，步骤S4中，所述半导体层分别在缓冲层两端的斜面处形成第一沟道和第二沟道，第一沟道为半导体层与漏极一侧接触处，第二沟道为半导体层与漏极另一侧接触处。

优选地，步骤S3包括如下具体步骤：

S31：在步骤S2的基础上涂布第一光阻层，第一光阻层在数据线上的投影与数据线之间具有夹角；

S32：对第一光阻层进行灰化处理，使得第一光阻层的宽度缩小；

S33：通过对第二金属层和缓冲层进行曝光、刻蚀和剥离，第二金属层形成与数据线具有夹角的漏极，缓冲层被刻蚀掉包裹数据线的部分且缓冲层两端被刻蚀后形成斜面。

优选地，步骤S31中，第一光阻层包括呈斜线状的第一部分和与第一部分连接的第二部分，第一部分在数据线上的投影与数据线之间具有夹角，第二部分在数据线上的投影位于数据线的下方。