[发明专利]用于化学机械研磨的设备与方法

说明书

本发明实施例涉及用于化学机械研磨的设备与方法。本发明实施例提供一种用于化学机械研磨CMP的方法。所述方法包含下列操作。接收半导体晶片。研磨所述半导体晶片。在一些实施例中，在研磨所述半导体晶片期间产生残余物，且所述残余物附着到经放置于修整头上的调节盘的表面。在研磨所述半导体晶片期间，通过修整臂使所述修整头及所述调节盘在庇护位置与工作区之间来回移动。在所述修整头及所述调节盘处于庇护位置中时，扫描所述调节盘的所述表面以使用激光扫描器来去除所述残余物。

技术领域

本发明实施例涉及用于化学机械研磨的设备与方法。

背景技术

化学机械研磨(CMP)广泛用于集成电路的制造中。由于集成电路在半导体晶片的表面上逐层构建，故CMP用于平坦化(若干)最顶层以为后续制造操作提供水平面。通过将半导体晶片放置于晶片载体中而执行CMP，所述晶片载体将待研磨的晶片表面压抵于附接到平台的研磨垫。在含有磨料粒子及反应化学物两者的磨料浆液施覆到研磨垫时，平台及晶片载体反向旋转。浆液经由研磨垫的旋转运输到晶片表面。研磨垫及与磨料浆液中的反应化学物耦合的晶片表面的相对移动容许CMP通过物理及化学动作两者磨平晶片表面。

可在制造集成电路期间的数个时间点使用CMP。例如，可使用CMP来平坦化分离集成电路中的各种电路层的层级间介电层。CMP通常还用于形成集成电路中的互连组件的导电线。通过用磨料研磨半导体晶片的表面，可去除层中的过量材料及表面粗糙度。

发明内容

本发明的实施例涉及一种用于CMP的方法，其包括：接收半导体晶片；研磨所述半导体晶片，其中在研磨所述半导体晶片期间产生残余物，且所述残余物附着到放置于修整头上的调节盘的表面；在研磨所述半导体晶片期间，使所述修整头及所述调节盘在庇护位置与工作区之间来回移动；及在所述修整头及所述调节盘处于所述庇护位置中时，使用激光扫描器扫描所述调节盘的所述表面以去除所述残余物。

本发明的实施例涉及一种用于CMP的方法，其包括：接收半导体晶片；研磨所述半导体晶片；在研磨所述半导体晶片期间，使修整头及调节盘在庇护位置与工作区之间来回移动；及在所述修整头及所述调节盘处于所述庇护位置中时，使用激光扫描器扫描所述调节盘的表面以产生多个信号；及通过测量及计算单元(MCU)模块收集所述多个信号。

本发明的实施例涉及一种用于化学机械研磨(CMP)的设备，其包括：平台；晶片载体，其在研磨操作期间保持半导体晶片；修整头，其保持经配置以在所述研磨操作期间调节放置于所述平台上的研磨垫的调节盘；及激光扫描器，其经配置以在所述研磨操作期间扫描所述调节盘的表面以清洗所述调节盘的表面且产生多个信号。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下具体实施方式最优选理解本发明实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种构件不按比例绘制。实际上，为清晰论述，各种构件的尺寸可任意增大或减小。

图1为绘示根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的CMP设备的示意图。

图2为表示根据本发明实施例的方面的CMP方法的流程图。

图3A及3B为根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的研磨操作的不同阶段中的CMP设备的一部分的示意俯视图。

图4A到4C为绘示根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的研磨操作的不同阶段中的调节盘的表面状况的示意图。

图5A及5B为绘示根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的研磨操作的不同阶段中的调节盘的表面状况的示意图。

图6A及6B为绘示根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的研磨操作的不同阶段中的调节盘的表面状况的示意图。

图7为绘示根据本发明实施例的一或多项实施例的方面的调节盘的示意图。

具体实施方式