[发明专利]发光基板、背光模组及显示面板在审
申请号: | 201911038638.3 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN110703501A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 陈黎暄 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13357 | 分类号: | G02F1/13357 |
代理公司: | 44570 深圳紫藤知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄灵飞 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 遮光单元 阵列基板 薄膜晶体管 源层 发光元件 薄膜晶体管阵列层 发光基板 所在平面 正投影 薄膜晶体管器件 背光模组 电性连接 显示面板 遮蔽 申请 发光 驱动 覆盖 | ||
本申请提供一种发光基板、背光模组及显示面板,所述发光基板包括:阵列基板、发光元件和遮光单元,所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括用于驱动发光元件发光的薄膜晶体管;所述发光元件设置在所述阵列基板上,且与所述薄膜晶体管电性连接;所述遮光单元与所述薄膜晶体管的有源层对应设置,所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层于所述阵列基板所在平面的正投影。本申请通过将遮光单元与有源层对应设置,以遮光单元来遮蔽射向有源层的光线,从而提高了薄膜晶体管器件的性能。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种发光基板、背光模组及显示面板。
背景技术
目前,Micro LED(Micro Light Emitting Display,微型有机发光二极管)作为一种电流驱动的器件,通常需要高性能的薄膜晶体管进行控制,因此,氧化物薄膜晶体管成为目前业界开发的首选目标。
采用氧化物如IGZO或ITZO作为沟道层时,有利于设计高分辨率和高亮度的薄膜晶体管器件,但在高性能薄膜晶体管上搭载Micro LED时,Micro LED发出的光会散射/反射到薄膜晶体管基板上,这种内部光的反射严重影响了薄膜晶体管器件的性能和稳定性。
发明内容
本申请提供一种发光基板、背光模组及显示面板,提高了薄膜晶体管器件的性能和稳定性。
本申请提供一种发光基板,其包括:
阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括用于驱动发光元件发光的薄膜晶体管;
所述发光元件,所述发光元件设置在所述阵列基板上,且与所述薄膜晶体管电性连接;以及
遮光单元,所述遮光单元与所述薄膜晶体管的有源层对应设置;其中,所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层于所述阵列基板所在平面的正投影。
在本申请的发光基板中,所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影覆盖所述薄膜晶体管于所述阵列基板所在平面的正投影。
在本申请的发光基板中,所述薄膜晶体管于所述阵列基板所在平面的正投影位于所述发光元件于所述阵列基板所在平面的正投影的外侧。
在本申请的发光基板中,所述遮光单元设置在所述阵列基板上,且位于所述发光元件的外侧。
在本申请的发光基板中,所述遮光单元设置在所述薄膜晶体管阵列层中。
在本申请的发光基板中,所述薄膜晶体管于所述阵列基板所在平面的正投影位于所述发光元件于所述阵列基板所在平面的正投影内。
在本申请的发光基板中,所述发光元件为Mini LED芯片或MicroLED芯片。
本申请提供一种背光模组,其包括上述任一项所述的发光基板。
本申请还提供一种显示面板,其包括:
阵列基板,所述阵列基板包括薄膜晶体管阵列层,所述薄膜晶体管阵列层包括用于驱动发光元件发光的薄膜晶体管;
所述发光元件,所述发光元件设置在所述阵列基板上,且与所述薄膜晶体管电性连接;以及
遮光单元,所述遮光单元与所述薄膜晶体管的有源层对应设置;其中,所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影至少覆盖所述薄膜晶体管的有源层于所述阵列基板所在平面的正投影。
在本申请的显示面板中,所述遮光单元于所述阵列基板所在平面的正投影覆盖所述薄膜晶体管于所述阵列基板所在平面的正投影。
在本申请的显示面板中,所述发光元件为Micro LED芯片,多个所述MicroLED芯片阵列排布于所述阵列基板上。
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