[发明专利]一种关键尺寸值补正方法以及光刻装置

权利要求书

1.一种关键尺寸值补正方法，所述关键尺寸值补正方法用于对至少一个目标基板进行光刻，每一所述目标基板均包括多个第一子区域，其特征在于，所述关键尺寸值补正方法包括以下步骤：

光刻基准片制作步骤，基于初始离焦值对测试基板进行光刻，形成光刻基准片，所述测试基板包括多个第二子区域，所述第二子区域与所述第一子区域一一对应；

关键尺寸值均一性分析步骤，对所述光刻基准片上的每一所述第二子区域进行关键尺寸值测量，以得到每一所述第二子区域的关键尺寸值，并基于所述关键尺寸值计算所述光刻基准片的均一性值；

离焦值调整步骤，当所述均一性值不满足预设条件时，则调整所述第二子区域的离焦值；

光刻步骤，利用调整后的所述第二子区域的离焦值，对所述目标基板对应的所述第一子区域进行光刻。

2.如权利要求1所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，所述关键尺寸值均一性分析步骤包括：

获取每一所述第二子区域的关键尺寸值；

计算多个所述关键尺寸值的标准差、方差、变异系数和极差的一个或多个，以得到所述光刻基准片的均一性值。

3.如权利要求2所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，

所述关键尺寸值均一性分析步骤包括：预先设定所述均一性值阈值，将计算出的所述均一性值与所述均一性值阈值相比较，若所述均一性值超过所述均一性值阈值，则判断为所述均一性值不满足所述预设条件。

4.如权利要求1所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，所述离焦值调整步骤包括：

预先设定一参考关键尺寸值范围，所述参考关键尺寸值范围由第一关键尺寸值阈值和第二关键尺寸值阈值定义；

当所述均一性值不满足预设条件时，将每一所述第二子区域的关键尺寸值与所述参考关键尺寸值范围进行比较；

当所述第二子区域的关键尺寸值不满足所述参考关键尺寸值范围时，调整相应所述第二子区域的离焦值。

5.如权利要求4所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，当所述第二子区域的关键尺寸值不满足所述参考关键尺寸值范围时，调整相应所述第二子区域的离焦值包括：

当所述第二子区域的关键尺寸值大于所述参考第一关键尺寸值阈值时，调整所述第二子区域的离焦值以减小所述第二子区域的关键尺寸值。

6.如权利要求4或5所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，当所述第二子区域的关键尺寸值不满足所述参考关键尺寸值范围时，调整相应所述第二子区域的离焦值包括：

当所述第二子区域的关键尺寸值小于所述参考第二关键尺寸值阈值时，调整所述第二子区域的离焦值以增大所述第二子区域的关键尺寸值。

7.如权利要求1所述的关键尺寸值补正方法，其特征在于，所述关键尺寸值补正方法还可以包括曝光能量调整步骤，在所述曝光能量调整步骤中，调整所述第二子区域的曝光能量以补偿所述离焦值调整步骤中对所述关键尺寸值的影响。

8.一种光刻装置，用于对至少一个目标基板进行光刻，每一所述目标基板均包括多个第一子区域，其特征在于，包括：

光刻模组，其用于基于初始离焦值对测试基板进行光刻，形成光刻基准片，所述测试基板包括多个第二子区域，所述第二子区域与所述第一子区域一一对应；

关键尺寸值测量分析模组，其用于对所述光刻基准片上的每一所述第二子区域进行关键尺寸值测量，以得到每一所述第二子区域的关键尺寸值，并基于所述关键尺寸值计算所述测试基板的均一性值；

离焦值调整模组，其用于当所述均一性值不满足预设条件时，则调整所述第二子区域的离焦值，

所述光刻模组还用于利用调整后的所述第二子区域的离焦值，对所述目标基板对应的所述第一子区域进行光刻。

9.如权利要求8所述的光刻装置，其特征在于，所述关键尺寸值测量分析模组用于获取每一所述第二子区域的关键尺寸值；

计算多个所述关键尺寸值的标准差、方差、变异系数和极差的一个或多个，以得到所述测试基板的均一性值。

10.如权利要求9所述的光刻装置，其特征在于，所述关键尺寸值测量分析模组用于预先设定所述均一性值阈值，将计算出的所述均一性值与所述均一性值阈值相比较，若所述均一性值超过所述均一性值阈值，则判断为所述均一性值不满足所述预设条件。