[发明专利]一种关键尺寸值补正方法以及光刻装置

说明书

本申请提供一种关键尺寸值补正方法，关键尺寸值补正方法用于对至少一个目标基板进行光刻，每一目标基板均包括多个第一子区域，其包括以下步骤：光刻基准片制作步骤，基于初始离焦值对测试基板进行光刻，形成光刻基准片，测试基板包括多个第二子区域，第二子区域与第一子区域一一对应；关键尺寸值均一性分析步骤，对光刻基准片上的每一第二子区域进行关键尺寸值测量，以得到每一第二子区域的关键尺寸值，并基于关键尺寸值计算光刻基准片的均一性值；离焦值调整步骤，当均一性值不满足预设条件时，则调整第二子区域的离焦值；光刻步骤，利用调整后的第二子区域的离焦值，对目标基板对应的第一子区域进行光刻。

技术领域

本申请涉及光刻领域，尤其涉及一种关键尺寸值补正方法以及光刻装置。

背景技术

在显示面板的制造过程中，关键尺寸(Critical Dimension，CD)值或者称为关键线宽的大小的控制将直接决定产品良率，且影响整个显示装置的性能。关键尺寸值受制程中每个步骤的影响，关键尺寸值偏差的成因复杂，难以从根源解决。已知一种关键尺寸值的补正方式为曝光量(Dose)调整，即，通过控制曝光能量，对图案整体的关键尺寸值进行补正。然而，此种补正无法提高关键尺寸值的面内均一性。

发明内容

本申请提供一种能够提高关键尺寸值的面内均一性的关键尺寸值补正方法和光刻方法。

一种关键尺寸值补正方法，所述关键尺寸值补正方法用于对至少一个目标基板进行光刻，每一所述目标基板均包括多个第一子区域，所述关键尺寸值补正方法包括以下步骤：

光刻基准片制作步骤，基于初始离焦值对测试基板进行光刻，形成光刻基准片，所述测试基板包括多个第二子区域，所述第二子区域与所述第一子区域一一对应；

关键尺寸值均一性分析步骤，对所述光刻基准片上的每一所述第二子区域进行关键尺寸值测量，以得到每一所述第二子区域的关键尺寸值，并基于所述关键尺寸值计算所述光刻基准片的均一性值；

离焦值调整步骤，当所述均一性值不满足预设条件时，则调整所述第二子区域的离焦值；

光刻步骤，利用调整后的所述第二子区域的离焦值，对所述目标基板对应的所述第一子区域进行光刻。

在本申请一实施方式的关键尺寸值补正方法中，所述关键尺寸值均一性分析步骤包括：

获取每一所述第二子区域的关键尺寸值；

计算多个所述关键尺寸值的标准差、方差、变异系数和极差的一个或多个，以得到所述光刻基准片的均一性值。

在本申请一实施方式的关键尺寸值补正方法中，所述关键尺寸值均一性分析步骤包括：预先设定所述均一性值阈值，将计算出的所述均一性值与所述均一性值阈值相比较，若所述均一性值超过所述均一性值阈值，则判断为所述均一性值不满足所述预设条件。

在本申请一实施方式的关键尺寸值补正方法中，所述离焦值调整步骤包括：

预先设定一参考关键尺寸值范围，所述参考关键尺寸值范围由第一关键尺寸值阈值和第二关键尺寸值阈值定义；

当所述均一性值不满足预设条件时，将每一所述第二子区域的关键尺寸值与所述参考关键尺寸值范围进行比较；

当所述第二子区域的关键尺寸值不满足所述参考关键尺寸值范围时，调整相应所述第二子区域的离焦值。

在本申请一实施方式的关键尺寸值补正方法中，当所述第二子区域的关键尺寸值不满足所述参考关键尺寸值范围时，调整相应所述第二子区域的离焦值包括：

当所述第二子区域的关键尺寸值大于所述参考第一关键尺寸值阈值时，调整所述第二子区域的离焦值以减小所述第二子区域的关键尺寸值。