[发明专利]发光装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光装置，包括：

一电路层级包括一平坦化层，该平坦化层包括一黑材料；

一发光像素，设于该平坦化层上，且包括一发光材料，其中该发光材料包括具有一厚度的一次层；以及

一无机介电层，介于该发光像素与该平坦化层间，该无机介电层的厚度介于40 nm与130 nm间，

其中该平坦化层的上表面包括一区域，其与该发光像素的一有效发光区域实质上垂直排列，且该区域包括一局部平整度，以ISO 4287的最大谷深或最大波峰高度来定义该局部平整度，该区域的最大谷深的绝对值或最大峰高的绝对值不大于该次层的该厚度的50倍。

2.如权利要求1所述的发光装置，其中该平坦化层为一有机层。

3.如权利要求1所述的发光装置，其中该平坦化层为一无机层。

4.如权利要求1所述的发光装置，其中该发光像素包括一电极，其与该电路层级电性连接。

5.如权利要求1所述的发光装置，还包括一基材，其中该电路层级设于该基材上，该基材包括石墨烯。

6.如权利要求1所述的发光装置，其中该该区域的最大谷深的绝对值或最大峰高的绝对值小于该平坦化层的下表面的最大谷深的绝对值或最大峰高的绝对值的三分之一。

7.如权利要求1所述的发光装置，其中该电路层级包括一薄膜晶体管。

8.如权利要求1所述的发光装置，还包括一导电通路，其贯穿该平坦化层。

9.如权利要求1所述的发光装置，其中导电通路与该发光像素的一电极相接触，且该导电通路的一侧壁包括至少两种不同的斜度。

10.一种发光装置，包括：

一发光层，包括一发光像素阵列；以及

一电路层级，设于该发光像素阵列下方，且该电路层级包括

一晶体管阵列；以及

一介电层，介于该发光像素阵列与该晶体管阵列间，其中该介电层包括一平坦化层及一无机次层设置于该平坦化层上，其中该平坦化层包括一表面朝向该发光层，且该表面有一平坦度，以ISO 4287的最大谷深或最大波峰高度来定义该平坦度，该平坦度与该发光像素阵列中一有机次层的厚度的比值为小于150，该平坦化层包括一黑材料，该无机次层的厚度介于40 nm与130 nm间。

11.如权利要求10所述的发光装置，其中该无机次层是硅氧化物薄膜。

12.如权利要求10所述的发光装置，其中该发光像素阵列包括一电极，其与该介电层相接触。

13.如权利要求10所述的发光装置，其中该表面有一粗糙度值，该粗糙度值随该有机次层的厚度而降低。

14.如权利要求13所述的发光装置，其中该有机次层是用于载流子注入。

15.如权利要求13所述的发光装置，其中该有机次层是用于载流子传输。

16.如权利要求13所述的发光装置，其中该有机次层是用于发光。