[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

一发光装置包括一电路层级，其包括一平坦化层；以及一发光像素，其位于所述平坦化层上，且包括一发光材料，其中所述发光材料包括一次层其具有一厚度。所述平坦化层包括一区域，其与所述发光像素的有效发光区域实质上垂直排列，而所述区域包括一局部平整度(local flatness，LF)，且所述局部平整度与所述厚度间的比例不大于一预定值。

技术领域

本发明涉及一种本申请案请求2018年11月14日申请的美国专利申请案第16/190,873号的优先权权利，所述美国专利申请案的全部揭露内容并入本案供参考。

本揭示内容是关于发光装置，特别是一种有机发光装置及其制造方法

背景技术

有机发光显示器已广泛运用于大多数高端电子装置。然而，由于现有技术的限制，需透过遮罩在基板上涂布发光材料来实现像素定义，但在很多情形中，遮罩的临界尺寸无法小于100微米。因此，像素密度800ppi或更高规格已成为显示器制造商的挑战。

发明内容

针对现有技术中存在的技术问题，本发明提出了一发光装置，包括一电路层级，其包括一平坦化层；以及设于平坦化层上方的一发光像素，其包括一发光材料，其中所述发光材料包括有一厚度的一次层。平坦化层包括一区域，其与发光像素的有效发光区域实质上垂直排列，且所述区域包括一局部平整度(local flatness，LF)，所述局部平整度与厚度间的比例不大于一预定值。

在某些实施例中，平坦化层为有机层。在某些实施例中，平坦化层为无机层。在某些实施例中，发光像素包括一电极，其与电路层级电性连接。在某些实施例中，所述发光装置还包括设于平坦化层与发光像素间的无机介电层。在某些实施例中，所述局部平整度是依ISO 4287所述的最大谷深或最大波峰高度所界定。在某些实施例中，电路层级包括薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)。在某些实施例中，发光装置还包括一导电通路，其贯穿平坦化层。在某些实施例中，导电通路与发光像素的一电极接触，且导电通路的侧壁有至少两种不同斜度。

一发光装置，包括一发光层，其包括一发光像素阵列；以及一电路层级，其设于发光像素阵列下方。电路层级包括一晶体管阵列，以及介于发光像素阵列与晶体管阵列间的一介电层。其中介电层包括一无机次层，其包括面向发光层的一表面，且所述表面包括一粗糙度值，其与发光像素阵列中的有机次层的厚度相对应。

在某些实施例中，介电层为二氧化硅。在某些实施例中，发光像素阵列包括一电极，其与介电层接触。在某些实施例中，粗糙度值随有机次层的厚度而减低。在某些实施例中，有机次层是供载流子注入。在某些实施例中，有机次层是供载流子传输。在某些实施例中，有机次层是提供发光。

附图说明

图1至图8绘示制备发光装置的方法的数个操作。

图9绘示发光装置的中间产物中的通孔。

图10至图13绘示制备发光装置的方法的数个操作。

图14绘示发光装置的中间产物。

图15绘示发光装置的中间产物。

图16为一曲线图，绘示发光装置的平坦化层表面粗糙度状况与发光率间的关联。

图17为发光装置的透视图。

图18为图17所示发光装置的电极阵列。

具体实施方式

一发光装置的结构具有至少两种主要的层级。一层级经设置为发光层级，其包括发光像素阵列，并可对装置提供照明。发光像素可利用有机或无机材料制成。另一层级为电路层级，其与发光层级电性耦接，并与发光层级垂直堆叠。电路层级供应电源并控制信号至发光层级，以便依需求而显示色彩或图样。