[发明专利]阵列基板及其修补方法

权利要求书

1.一种阵列基板的修补方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供阵列基板；所述阵列基板包括衬底基板(10)以及设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)；所述TFT层(20)包括相互绝缘的第一金属层(21)和第二金属层(22)；

所述第一金属层(21)包括沿水平方向延伸的扫描线(211)以及与所述扫描线(211)连接的栅极(212)；所述第二金属层(22)包括沿竖直方向延伸的数据线(221)；

所述扫描线(211)包括与数据线(221)交叠且与栅极(212)连接的第一扫描线段(2111)以及连接所述第一扫描线段(2111)的第二扫描线段(2112)；

所述第二扫描线段(2112)的宽度小于第一扫描线段(2111)的宽度；

步骤S2、检测出阵列基板的扫描线(211)与数据线(221)的短路位置；

步骤S3、切断位于扫描线(211)与数据线(221)的短路位置两端的第二扫描线段(2112)；

步骤S4、形成一扫描修补线(50)连接被切断的第二扫描线段(2112)。

2.如权利要求1所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第一金属层(21)还包括分别位于所述扫描线(211)两侧的第一公共电极线(213)和第二公共电极线(214)；所述第一公共电极线(213)包括与数据线(221)交叠的第一公共电极线段(2131)以及连接所述第一公共电极线段(2131)的第二公共电极线段(2132)；所述第二公共电极线段(2132)的宽度小于第一公共电极线段(2131)的宽度。

3.如权利要求2所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，还包括：步骤S5、检测出阵列基板的第一公共电极线(213)与数据线(221)的短路位置；切断位于第一公共电极线(213)与数据线(221)的短路位置两端的第二公共电极线段(2132)；形成一公共电极修补线(60)连接被切断的第二公共电极线段(2132)。

4.如权利要求2所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述阵列基板还包括设于所述TFT层(20)上的像素电极(30)以及设于所述像素电极(30) 上的色阻层(40)。

5.如权利要求4所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第二金属层(22)还包括间隔设置的源极(222)和漏极(223)；所述源极(222)连接数据线(221)；所述漏极(223)连接像素电极(30)。

6.如权利要求4所述的阵列基板的修补方法，其特征在于，所述第一公共电极线(213)位于扫描线(211)远离像素电极(30)的一侧；所述第二公共电极线(214)位于扫描线(211)靠近像素电极(30)的一侧。

7.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(10)以及设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)；所述TFT层(20)包括相互绝缘的第一金属层(21)和第二金属层(22)；

所述第一金属层(21)包括沿水平方向延伸的扫描线(211)以及与所述扫描线(211)连接的栅极(212)；所述第二金属层(22)包括沿竖直方向延伸的数据线(221)；

所述扫描线(211)包括与数据线(221)交叠且与栅极(212)连接的第一扫描线段(2111)以及连接所述第一扫描线段(2111)的第二扫描线段(2112)；

所述第二扫描线段(2112)的宽度小于第一扫描线段(2111)的宽度；

所述阵列基板采用如权利要求1所述的阵列基板的修补方法修补。

8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层(21)还包括分别位于所述扫描线(211)两侧的第一公共电极线(213)和第二公共电极线(214)；所述第一公共电极线(213)包括与数据线(221)交叠的第一公共电极线段(2131)以及连接所述第一公共电极线段(2131)的第二公共电极线段(2132)；所述第二公共电极线段(2132)的宽度小于第一公共电极线段(2131)的宽度。