[发明专利]静电防护结构、制造方法以及阵列基板母板

权利要求书

1.一种静电防护结构，其特征在于，用于对显示面板的薄膜晶体管测试组进行静电防护，所述静电防护结构包括至少一个静电传导部和至少一个静电释放部，所述静电传导部和所述静电释放部依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形，所述静电传导部包括第一金属层，所述静电释放部包括半导体层，所述第一金属层与所述半导体层通过第一电连接部电连接，所述第一金属层与所述半导体层之间设置第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有第一通孔，所述半导体层包括所述第一电连接部，所述第一电连接部位于所述第一通孔内。

2.如权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于，所述静电传导部还包括一第二金属层，所述第二金属层设置于所述半导体层远离所述第一金属层一侧，并通过第二电连接部与所述半导体层电连接。

3.如权利要求2所述的静电防护结构，其特征在于，所述静电防护结构还包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层与所述半导体层之间，所述第二绝缘层中设置有第二通孔，所述第二金属层包括所述第二电连接部，所述第二电连接部位于所述第二通孔内。

4.如权利要求3所述的静电防护结构，其特征在于，所述静电传导部还包括一第三金属层，所述第三金属层设置于所述第二金属层远离所述半导体层一侧并通过第三电连接部与所述第二金属层电连接。

5.如权利要求4所述的静电防护结构，其特征在于，所述静电防护结构还包括一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述第二金属层与所述第三金属层之间，所述第三绝缘层中设置有第三通孔，所述第三金属层包括所述第三电连接部，所述第三电连接部位于所述第三通孔内。

6.一种阵列基板母板，其特征在于，包括至少一个阵列区域、至少一个薄膜晶体管测试组以及至少一个静电防护结构，所述静电防护结构包括至少一个静电传导部和至少一个静电释放部，所述静电传导部和所述静电释放部依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形，所述静电传导部包括第一金属层，所述静电释放部包括半导体层，所述第一金属层与所述半导体层通过第一电连接部电连接，所述静电防护结构围绕所述薄膜晶体管测试组设置，所述静电防护结构的所述半导体层与所述阵列区域的有源层同层设置，所述静电防护结构的所述第一金属层与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层其中之一同层设置。

7.如权利要求6所述的阵列基板母板，其特征在于，所述静电防护结构还包括一第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层其中之二同层设置。

8.如权利要求7所述的阵列基板母板，其特征在于，所述静电防护结构还包括一第三金属层，所述第一金属层、所述第二金属层与所述第三金属层分别与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层的其中之一同层设置。

9.一种静电防护结构的制造方法，所述静电防护结构用于保护显示面板的薄膜晶体管测试组，其包括以下步骤：

提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形；

在所述基板的第一区域形成第一金属层；

在所述第一金属层的第一区域上形成第一绝缘层，第一绝缘层中形成第一通孔；

以及在所述第一绝缘层的第二区域形成半导体层，所述第一金属层与所述半导体层通过第一电连接部电连接。