[发明专利]静电防护结构、制造方法以及阵列基板母板

说明书

本申请提供一种静电防护结构，其用于对显示面板的薄膜晶体管测试组进行静电防护，静电防护结构包括至少一个静电传导部和至少一个静电释放部，静电传导部和静电释放部依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形，静电传导部包括第一金属层，静电释放部包括半导体层，第一金属层与半导体层通过第一电连接部电连接。

技术领域

本申请涉及显示领域，尤其涉及一种静电防护结、制造方法以及阵列基板母板。

背景技术

已知可以通过在非显示区设计电性薄膜晶体管测试组(Test Group，TEG)来监控显示区薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)的特性。测试组为与显示区的TFT相同的TFT元件。阵列基板的制作需经历成膜、光刻、清洗等多道工艺，需要用到多种机台。在生产过程中，阵列基板与机台的摩擦接触极易导致静电积累，引起TFT膜层静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)损伤，导致测试组元件失效，失去监测功能。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种应用于显示面板的静电防护结构，可避免测试组内包含的TFT元件被静电击伤。本申请还提供一种所述静电防护结构的制造方法以及阵列基板母板。

一种静电防护结构，用于对显示面板的薄膜晶体管测试组进行静电防护，所述静电防护结构包括至少一个静电传导部和至少一个静电释放部，所述静电传导部和所述静电释放部依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形，所述静电传导部包括第一金属层，所述静电释放部包括半导体层，所述第一金属层与所述半导体层通过第一电连接部电连接。

在本申请一实施方式中，所述静电防护结构还包括一第一绝缘层，所述第一绝缘层设置于所述第一金属层与所述半导体层之间，所述第一绝缘层中设置有第一通孔，所述半导体层包括所述第一电连接部，所述第一电连接部位于所述第一通孔内。

在本申请一实施方式中，所述静电传导部还包括一第二金属层，所述第二金属层设置于所述半导体层远离所述第一金属层一侧，并通过第二电连接部与所述半导体层电连接。

在本申请一实施方式中，所述静电防护结构还包括一第二绝缘层，所述第二绝缘层设置于所述第二金属层与所述半导体层之间，所述第二绝缘层中设置有第二通孔，所述第二金属层包括所述第二电连接部，所述第二电连接部位于所述第二通孔内。

在本申请一实施方式中，所述静电传导部还包括一第三金属层，所述第三金属层设置于所述第二金属层远离所述半导体层一侧并通过第三电连接部与所述第二金属层电连接。

在本申请一实施方式中，所述静电防护结构还包括一第三绝缘层，所述第三绝缘层设置于所述第二金属层与所述第三金属层之间，所述第三绝缘层中设置有第三通孔，所述第三金属层包括所述第三电连接部，所述第三电连接部位于所述第三通孔内。

一种阵列基板母板，其包括至少一个阵列区域、至少一个薄膜晶体管测试组以及至少一个上述静电防护结构，所述静电防护结构围绕所述薄膜晶体管测试组设置，所述静电防护结构的所述半导体层与所述阵列区域的有源层同层设置，所述静电防护结构的所述第一金属层与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层其中之一同层设置。

在本申请一实施方式中，所述静电防护结构还包括一第二金属层，所述第一金属层和所述第二金属层与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层其中之二同层设置。

在本申请一实施方式中，所述静电防护结构还包括一第三金属层，所述第一金属层、所述第二金属层与所述第三金属层分别与所述阵列区域的沟道遮光层、栅极层和源漏极层的其中之一同层设置。

一种静电防护结构的制造方法，所述静电防护结构用于保护显示面板的薄膜晶体管测试组，其包括以下步骤：提供一基板，所述基板包括第一区域和第二区域，所述第一区域和所述第二区域依次交替连接、且首尾相连形成一闭合的环形；在所述基板的第一区域形成第一金属层；以及在所述基板的第二区域形成半导体层所述第一金属层与所述半导体层通过第一电连接部电连接。