[发明专利]聚合物的制造方法、及聚合物

说明书

本发明的课题是提供残存单体量少，使用于抗蚀剂组合物时，尤其会展现良好的LWR的聚合物的制造方法。一种聚合物的制造方法，是制造含有来自包含因曝光而分解并产生酸的结构的单体(A)的重复单元、来自具有酸不稳定基团的单体(B)的重复单元、及来自具有酚性羟基的单体(C)的重复单元，且聚合物中所含的单体(A)的残存量为1.0质量％以下的聚合物的制造方法，包含将含有单体(A)、单体(B)、及单体(C)的单体溶液供给到反应釜中的步骤、及在该反应釜内实施聚合反应的步骤，该反应釜内的单体溶液中的单体浓度为35质量％以上，且该单体溶液的溶剂(S)包含选自下式(S‑1)及下式(S‑2)所示的溶剂中的至少1种。

技术领域

本发明涉及聚合物的制造方法、及聚合物。

背景技术

随着LSI的高集成化与高速化，微细化正急速地进展。作为最先进的微细化技术，在投影透镜与基板之间插入水等液体来实施曝光的ArF浸润式光刻已经量产，且已经在探讨ArF光刻的多重曝光(多重图案化)、波长13.5nm的极紫外线(EUV)光刻等。

在前述光刻所使用的化学增幅抗蚀剂组合物中，有时会使用除了包含以往的酸脱离性单元、内酯单元等之外，还包含因曝光而分解并产生酸的单元(以下称为“产酸剂单元”)作为基础树脂的构成单元的共聚物。含有产酸剂单元的基础树脂通过在聚合物侧链上具有产酸剂单元，而可以抑制酸扩散并能够形成高分辨率的图案。作为这种共聚物，已经有人探讨例如专利文献1～4所记载的共聚物。

制造这种共聚物时，在以往的方法中，有时会有单体并未充分消耗殆尽而残存在聚合后的溶液、纯化后的共聚物中的情况。尤其，在产酸剂单元残存时，比起经共聚并已经键结于聚合物主链上的产酸单元，残存的产酸单元的酸扩散较大，无法充分地抑制酸扩散。因此，以分辨率、图案形状为代表的诸多性能中，尤其在边缘粗糙度(LWR)方面，并无法必定令人满意。

现有技术文件

专利文献

专利文献1:日本特开2011-070033号公报

专利文献2:日本特开2012-048075号公报

专利文献3:国际公开第2013-111667号

专利文献4:日本特开2011-033839号公报

发明内容

发明要解决的问题

欲更进一步微细化时，含有以往已经探讨的产酸剂单元的基础树脂，在以分辨率、抗蚀剂图案形状为代表的诸多性能方面，并非必定足够。

本发明是鉴于前述情况而成的，目的为提供残存单体量少，且使用于抗蚀剂组合物时，尤其会展现良好的LWR的聚合物的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明人们为了达成前述目的反复深入探讨后的结果获得如下见解，从而完成本发明：通过使用后述式(S-1)或(S-2)所示的溶剂，得到的聚合物中残存的提供产酸剂单元的单体少，且将其尤其使用于电子束(EB)光刻、EUV光刻时，会展现良好的LWR，对精密的微细加工极为有效。

即，本发明提供下述聚合物的制造方法、及聚合物。

1.一种聚合物的制造方法，是制造含有来自包含因曝光而分解并产生酸的结构的单体(A)的重复单元、来自具有酸不稳定基团的单体(B)的重复单元、及来自具有酚性羟基的单体(C)的重复单元，且聚合物中所含的单体(A)的残存量为1.0质量％以下的聚合物的制造方法，包含下列步骤：

将含有单体(A)、单体(B)、及单体(C)的单体溶液供给到反应釜中，及

在前述反应釜内实施聚合反应；