[发明专利]微元件的剥离装置以及剥离方法有效
申请号: | 201911040129.4 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN112750716B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 刘一帆;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;H01L27/15 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 剥离 装置 以及 方法 | ||
1.一种微元件的剥离装置,其特征在于,所述剥离装置应用于将所述微元件从其生长基板上剥离,包括:
光源,用于输出剥离光束;
光学开关元件,所述光学开关元件设置于所述剥离光束的传输路径上,所述光学开关元件包括变焦透镜,所述变焦透镜的焦距能够在第一焦距和第二焦距之间切换;
其中,在所述第一焦距下,经所述变焦透镜作用后的剥离光束在所述生长基板上形成的光斑具有第一面积,且经所述变焦透镜的剥离光束能够在所述生长基板形成具有预设能量密度的光斑,在所述第二焦距下,经所述变焦透镜作用后的剥离光束在所述生长基板上形成的光斑具有第二面积,且经所述变焦透镜的剥离光束无法在所述生长基板形成所述具有预设能量密度的光斑,其中,第一面积小于所述第二面积,所述预设能量密度定义为剥离所述微元件所要求的能量密度。
2.根据权利要求1所述的剥离装置,其特征在于,所述光学开关元件包括第一偏振片、电光晶体以及第二偏振片,所述剥离光束依次经过所述第一偏振片、所述电光晶体以及所述第二偏振片;
所述电光晶体能够在第一偏振转换态和第二偏振转换态之间切换,在所述第一偏振转换态下,经所述第一偏振片和所述电光晶体作用后的剥离光束在所述第二偏振片具有第一透过率,在所述第二偏振转换态下,经所述第一偏振片和所述电光晶体作用后的剥离光束在所述第二偏振片具有第二透过率,所述第一透过率大于所述第二透过率。
3.根据权利要求2所述的剥离装置,其特征在于,在所述第一偏振转换态下,经所述第一偏振片和所述电光晶体作用后的剥离光束的偏振方向与所述第二偏振片的透光轴的延伸方向平行;在所述第二偏振转换态下,经所述第一偏振片和所述电光晶体作用后的剥离光束的偏振方向与所述第二偏振片的透光轴的延伸方向垂直。
4.根据权利要求2所述的剥离装置,其特征在于,所述电光晶体为液晶。
5.根据权利要求2至4任一项所述的剥离装置,其特征在于,所述剥离装置还包括聚焦透镜,所述聚焦透镜设置于所述剥离光束的传输路径上且相对所述光学开关元件远离所述光源设置,用于使得经所述聚焦透镜的剥离光束能够在所述生长基板上聚焦,进而形成所述具有预设能量密度的光斑。
6.根据权利要求1所述的剥离装置,其特征在于,所述剥离装置还包括聚焦透镜,所述聚焦透镜设置于所述剥离光束的传输路径上,所述聚焦透镜的焦距固定;
在所述第一焦距下,经所述变焦透镜和所述聚焦透镜作用的剥离光束能够在所述生长基板上聚焦,而在所述第二焦距下,经所述变焦透镜和所述聚焦透镜作用的剥离光束无法在所述生长基板上聚焦。
7.根据权利要求1所述的剥离装置,其特征在于,所述剥离装置还包括控制机构,所述光源和所述光学开关元件设于所述控制机构上,所述控制机构能够控制所述光源输出的所述剥离光束指向不同的所述微元件,其中所述光学开关元件在第一状态和第二状态之间进行切换所需的时间小于所述剥离光束的指向在相邻两个所述微元件之间进行过渡所需的时间。
8.一种微元件的剥离方法,其特征在于,所述剥离方法应用于将所述微元件从其生长基板上剥离,包括:
确定所述生长基板上待剥离的所述微元件;
控制剥离装置逐一扫描所述生长基板上的所述微元件;
当所述剥离装置扫描到的所述微元件为所述待剥离的微元件时,控制所述剥离装置的变焦透镜的焦距切换至第一焦距,使得经所述变焦透镜作用后的剥离光束在所述生长基板上形成的光斑具有第一面积,且自所述剥离装置的光源经所述变焦透镜的剥离光束能够在所述生长基板形成具有预设能量密度的光斑,进而剥离所述剥离装置扫描到的所述微元件;
当所述剥离装置扫描到的所述微元件不是所述待剥离的微元件时,控制所述剥离装置的变焦透镜的焦距切换至第二焦距,使得经所述变焦透镜作用后的剥离光束在所述生长基板上形成的光斑具有第二面积,且自所述剥离装置的光源经所述变焦透镜的剥离光束无法在所述生长基板形成所述具有预设能量密度的光斑,进而不剥离所述剥离装置扫描到的所述微元件。
9.根据权利要求8所述的剥离方法,其特征在于,所述待剥离的微元件为处于正常状态的所述微元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造