[发明专利]微元件的剥离装置以及剥离方法有效
申请号: | 201911040129.4 | 申请日: | 2019-10-29 |
公开(公告)号: | CN112750716B | 公开(公告)日: | 2022-12-30 |
发明(设计)人: | 刘一帆;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78;H01L27/15 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元件 剥离 装置 以及 方法 | ||
本发明涉及显示面板技术领域,公开了一种微元件的剥离装置以及剥离方法。该剥离装置应用于将微元件从其生长基板上剥离,包括光源以及光学开关元件。光源用于输出剥离光束。光学开关元件设置于剥离光束的传输路径上。其中,光学开关元件能够在第一状态和第二状态之间进行切换,在第一状态下,经光学开关元件的剥离光束能够在生长基板形成具有预设能量密度的光斑,而在第二状态下,经光学开关元件的剥离光束无法在生长基板形成具有预设能量密度的光斑,预设能量密度定义为剥离微元件所要求的能量密度。通过上述方式,本发明能够有利于选择性地剥离微元件。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种微元件的剥离装置以及剥离方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种光电半导体元件,其具有低功耗、尺寸小亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点,作为光源被广泛应用。并且,随着LED技术的成熟,直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
传统LED的剥离工艺利用激光将LED从生长基板上剥离。由于传统激光器本身以及机械快门的开关速度较慢,不利于对数量庞大的LED逐一进行激光剥离,进而不允许选择性地剥离LED,而是对生长基板上的LED进行整体剥离,即无论LED的质量好坏均会被剥离,导致后续需要对次品LED进行筛查,整体工艺良率以及生产效率较低。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种微元件的剥离装置以及剥离方法,有利于选择性地剥离微元件。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种微元件的剥离装置。该剥离装置应用于将微元件从其生长基板上剥离,包括光源以及光学开关元件。光源用于输出剥离光束。光学开关元件设置于剥离光束的传输路径上。其中,光学开关元件能够在第一状态和第二状态之间进行切换,在第一状态下,经光学开关元件的剥离光束能够在生长基板形成具有预设能量密度的光斑,而在第二状态下,经光学开关元件的剥离光束无法在生长基板形成具有预设能量密度的光斑,预设能量密度定义为剥离微元件所要求的能量密度。
在本发明的一实施例中,光学开关元件包括第一偏振片、电光晶体以及第二偏振片,剥离光束依次经过第一偏振片、电光晶体以及第二偏振片;电光晶体能够在第一偏振转换态和第二偏振转换态之间切换,在第一偏振转换态下,经第一偏振片和电光晶体作用后的剥离光束在第二偏振片具有第一透过率,在第二偏振转换态下,经第一偏振片和电光晶体作用后的剥离光束在第二偏振片具有第二透过率,第一透过率大于第二透过率。
在本发明的一实施例中,在第一偏振转换态下,经第一偏振片和电光晶体作用后的剥离光束的偏振方向与第二偏振片的透光轴的延伸方向平行;在第二偏振转换态下,经第一偏振片和电光晶体作用后的剥离光束的偏振方向与第二偏振片的透光轴的延伸方向垂直。
在本发明的一实施例中,电光晶体为液晶。
在本发明的一实施例中,剥离装置还包括聚焦透镜,聚焦透镜设置于剥离光束的传输路径上且相对光学开关元件远离光源设置,用于使得经聚焦透镜的剥离光束能够在生长基板上聚焦,进而形成具有预设能量密度的光斑。
在本发明的一实施例中,光学开关元件包括变焦透镜,变焦透镜的焦距能够在第一焦距和第二焦距之间切换;在第一焦距下,经变焦透镜作用后的剥离光束在生长基板上形成的光斑具有第一面积,在第二焦距下,经变焦透镜作用后的剥离光束在生长基板上形成的光斑具有第二面积,其中第一面积小于第二面积。
在本发明的一实施例中,剥离装置还包括聚焦透镜,聚焦透镜设置于剥离光束的传输路径上,聚焦透镜的焦距固定;在第一焦距下,经变焦透镜和聚焦透镜作用的剥离光束能够在生长基板上聚焦,而在第二焦距下,经变焦透镜和聚焦透镜作用的剥离光束无法在生长基板上聚焦。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造