[发明专利]一种宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备在审
| 申请号： | 201911041523.X | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110716251A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 黄文华;马新建;吴先云;廖洪平;陈秋华;张星;陈伟 | 申请（专利权）人： | 福建福晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/04 | 分类号： | G02B5/04;G02B27/28;G02B1/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350003 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保偏膜 制备 等腰直角棱镜 光学元器件 光纤通信 射光偏振 反射率 全波段 位相差 增透膜 入射 元器件 简易 | ||
1.一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：它由一个等腰直角棱镜（1）、出入射面增透膜（2）、内反保偏膜（3）组成；其特征在于：所述内反保偏膜（3）是由Ag、SiO2、Ta2O5三种不同膜料采用不同膜层厚度组合而成，所述内反保偏膜由5层薄膜组成，该5层薄膜的膜层从空气到等腰直角棱镜（1）依次为：第1层，SiO2膜层（11）、第2层，Ag膜层（12）、第3层，SiO2膜层（11）、第4层，Ta2O5膜层（13）、第5层，SiO2膜层（11）。
2.根据权利要求1所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：第1层，SiO2膜层（11）厚度为40-70nm、第2层，Ag膜层（12）120-130nm、第3层，SiO2膜层（11）255-265nm、第4层，Ta2O5膜层（13）28 -35nm、第5层，SiO2膜层（11）95-105nm。
3.根据权利要求1所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：所述的光学玻璃基材的折射率为：1.45-1.56。
4.根据权利要求1所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：所述的玻璃基材采用K9或D236T或B270或BK7。
5.根据权利要求1-4中任意一项所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：制备过程如下：
准备玻璃基材：K9
选择Ag、SiO2、Ta2O5作为镀膜材料；
清洗玻璃基材表面：将抛光好的玻璃基材，放入超声波清洗机进行清洗，然后烘干，上装夹具并放入镀膜机；
抽真空，使得本底真空度达到2*10-3Pa；
使用霍尔离子源对玻璃基材进行刻蚀5-10分钟；
在完成步骤⑤对玻璃基材表面刻蚀后，依照距离玻璃基材从近至远依次交替使用霍尔离子源辅助电子束蒸发法沉积SiO2、Ta2O5膜层，但用钼舟蒸发银时，不用离子源辅助；
在完成步骤⑥的过程中，镀制各个SiO2膜层时，控制沉积速率为0 .5-0 .8nm/s，充氧量为15-25sccm，离子束电压为100-150V，离子束电流为4-6A；
在蒸发Ag膜层时，控制沉积速率为0 .4-0 .7nm/s；
在镀制Ta2O5膜层时，控制沉积速率为0 .2-0 .4nm/s，充氧量为15-25sccm，离子束电压为100-150V，离子束电流为4-6A。
6.根据权利要求5所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：权利要求5中所述的步骤⑤在使用霍尔离子源对玻璃基材(1 )刻蚀时，离子束电压为100-150V，离子束电流为3-5A。
7.根据权利要求5所述的一种（1260-1750）nm宽角度内反保偏膜元器件的设计及其制备，其特征在于：在镀制SiO2膜层、Ag膜层、Ta2O5膜层时，工件盘的公转速度控制在20-25r/min。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福晶科技股份有限公司，未经福建福晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911041523.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种宽带偏振选择超材料吸收体及红外探测器
- 下一篇：成像部件及成像装置
