[发明专利]晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法在审
| 申请号： | 201911042547.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN110767742A | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 张召;张继亮;金新 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/02 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化膜层 背封 多晶硅膜层 重掺杂 晶圆 析出 酸洗工艺 衬底 半导体制造领域 影响器件性能 交叉污染 种晶 去除 离子 申请 制造 | ||
1.一种晶圆背封结构，其特征在于，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；
所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方；
所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方；
所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方。
2.根据权利要求1所述的晶圆背封结构，其特征在于，还包括外延层；
所述外延层位于所述重掺杂衬底的上方。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆背封结构，其特征在于，所述第一氧化膜层的厚度为1000埃。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆背封结构，其特征在于，所述多晶硅膜层的厚度为8000埃。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆背封结构，其特征在于，所述第二氧化膜的厚度为1000埃。
6.根据权利要求1或2所述的晶圆背封结构，其特征在于，所述重掺杂衬底的阻值小于1ohm。
7.根据权利要求1至6任一所述的晶圆背封结构，其特征在于，氧化膜层为二氧化硅膜层。
8.一种晶圆背封结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在重掺杂衬底的正表面和背表面生长第一氧化膜层；
对于所述重掺杂衬底的正面和背面，在所述第一氧化膜层上生长多晶硅膜层；
对于所述重掺杂衬底的正面和背面，在所述多晶硅膜层上生长第二氧化膜层；
去除所述重掺杂衬底的正表面上的所述第二氧化膜层、所述多晶硅膜层、所述第一氧化膜层。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述去除所述重掺杂衬底的正表面上的所述第二氧化膜层、所述多晶硅膜层、所述第一氧化膜层之后，还包括：
在所述重掺杂衬底的正表面生长外延层。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述第一氧化膜层上生长多晶硅膜层，包括：
按预定角度转动所述重掺杂衬底，在所述第一氧化膜层上生长所述多晶硅膜层。
11.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述多晶硅膜层上生长第二氧化膜层，包括：
按预定角度转动所述重掺杂衬底，在所述多晶硅膜层上生长所述第二氧化膜层。
12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述去除所述重掺杂衬底的正表面上的所述第二氧化膜层、所述多晶硅膜层、所述第一氧化膜层，包括：
通过单片酸洗工艺，去除每片重掺杂衬底的正表面上的所述第二氧化膜层、所述多晶硅膜层、所述第一氧化膜层。
13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一氧化膜层的厚度为1000埃。
14.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述多晶硅膜层的厚度为8000埃。
15.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第二氧化膜层的厚度为1000埃。
16.根据权利要求8至12任一所述的方法，其特征在于，所述重掺杂衬底的阻值小于1ohm。
17.根据权利要求8至12任一所述的方法，其特征在于，氧化膜层为二氧化硅膜层。
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