[发明专利]晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法

说明书

本申请公开了一种晶圆背封结构及其制造方法，涉及半导体制造领域。该晶圆背封结构，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；所述第一氧化膜层位于所述重掺杂衬底的下方；所述多晶硅膜层位于所述第一氧化膜层的下方；所述第二氧化膜层位于所述多晶硅膜层的下方；解决了酸洗工艺中现有的晶圆背封结构中LTO层容易被去除，导致重掺杂离子析出的问题；达到了防止酸洗工艺后晶圆背封结构被破坏而析出杂质，避免出现交叉污染影响器件性能的效果。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法。

背景技术

目前外延沉积的硅片是重掺杂的，为了防止掺杂剂逃逸，在晶圆的背面沉积低温氧化物薄膜(LTO)。一般情况下，选取二氧化硅作为背封材料。

硅片制作厂商在12寸重掺杂背封工艺中一般采用等离子体增强化学气相沉积技术在硅衬底背面生长一层LTO薄膜，LTO薄膜的厚度为3000埃至5000埃，然后在硅衬底表面形成外延层(EPI)。在进行后续工艺之前，需要对生长了LTO薄膜和外延层的硅衬底进行抛光清洗。

然而，由于沉积LTO薄膜工艺的特殊性，在LTO薄膜厚度达到5000埃时膜厚均一性较差，制约了LTO薄膜的进一步生长，LTO薄膜难以达到更大的厚度。5000埃的LTO薄膜在经酸槽工艺后容易被去除，导致衬底重掺杂的离子析出，造成污染。

发明内容

本申请提供了一种晶圆背封结构、晶圆背封结构的制造方法，可以解决相关技术中晶圆背封在预清洗时被酸洗去除的问题。

第一方面，本申请实施例提供了一种晶圆背封结构，包括重掺杂衬底、第一氧化膜层、多晶硅膜层、第二氧化膜层；

第一氧化膜层位于重掺杂衬底的下方；

多晶硅膜层位于第一氧化膜层的下方；

第二氧化膜层位于多晶硅膜层的下方。

可选的，还包括外延层；

外延层位于重掺杂衬底的上方。

可选的，第一氧化膜层的厚度为1000埃。

可选的，多晶硅膜层的厚度为8000埃。

可选的，第二氧化膜的厚度为1000埃。

可选的，重掺杂衬底的阻值小于1ohm。

可选的，氧化膜层为二氧化硅膜层。

第二方面，本申请实施例提供了一种晶圆背封结构的制造方法，该方法包括：

在重掺杂衬底的正表面和背表面生长第一氧化膜层；

对于重掺杂衬底的正面和背面，在第一氧化膜层上生长多晶硅膜层；

对于重掺杂衬底的正面和背面，在多晶硅膜层上生长第二氧化膜层；

去除重掺杂衬底的正表面上的第二氧化膜层、多晶硅膜层、第一氧化膜层。

可选的，去除重掺杂衬底的正表面上的第二氧化膜层、多晶硅膜层、第一氧化膜层之后，还包括：

在重掺杂衬底的正表面生长外延层。

可选的，在第一氧化膜层上生长多晶硅膜层，包括：

按预定角度转动重掺杂衬底，在第一氧化膜层上生长多晶硅膜层。

可选的，在多晶硅膜层上生长第二氧化膜层，包括：

按预定角度转动重掺杂衬底，在多晶硅膜层上生长第二氧化膜层。

可选的，去除重掺杂衬底的正表面上的第二氧化膜层、多晶硅膜层、第一氧化膜层，包括：