[发明专利]影像传感器在审

专利信息
申请号: 201911042630.4 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN112530983A 公开(公告)日: 2021-03-19
发明(设计)人: 钟志平;何明祐;毕嘉慧 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 影像 传感器
【权利要求书】:

1.一种影像传感器,其特征在于,包括:

基底,具有相对的第一面与第二面;

第一栅极,设置在所述第一面的所述基底上;

感光元件,位于所述第一栅极的一侧的所述基底中;

存储节点,位于所述第一栅极的另一侧的所述基底中;

至少一个第一反光层,设置在所述基底中,且位于所述存储节点的周围;

第二反光层,在所述第一面遮蔽所述存储节点,且电连接至所述至少一个第一反光层;以及

第三反光层,在所述第二面遮蔽所述存储节点,且电连接至所述至少一个第一反光层。

2.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述至少一个第一反光层从所述第一面延伸至所述第二面。

3.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述第二反光层共形地设置在所述第一面。

4.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述至少一个第一反光层的材料包括掺杂多晶硅或金属,所述第二反光层的材料包括金属或掺杂多晶硅,且所述第三反光层的材料包括掺杂多晶硅或金属。

5.如权利要求1所述的影像传感器,其中所述影像传感器为背照式影像传感器,所述第二反光层在所述第一面还遮蔽所述感光元件,且所述第三反光层具有暴露出所述感光元件的开口。

6.如权利要求1所述的影像传感器,还包括:

至少一个第四反光层,设置在所述基底中,且位于所述感光元件的周围。

7.如权利要求6所述的影像传感器,还包括:

第一介电层,位于所述至少一个第一反光层与所述基底之间;

第二介电层,位于所述第二反光层与所述基底之间;

第三介电层,位于所述第三反光层与所述基底之间;以及

第四介电层,位于所述第四反光层与所述基底之间。

8.如权利要求1所述的影像传感器,还包括:

第五反光层,设置在所述第三反光层上。

9.如权利要求1所述的影像传感器,还包括:

隔离结构,设置在所述基底中,且围绕部分所述至少一个第一反光层。

10.如权利要求1所述的影像传感器,还包括:

第二栅极,设置在所述第一面的所述基底上,且位于所述存储节点的远离所述第一栅极的一侧;

第三栅极,设置在所述第一面的所述基底上,且位于所述第二栅极的远离所述存储节点的一侧;

第一栅介电层,位于所述第一栅极与所述基底之间;

第二栅介电层,位于所述第二栅极与所述基底之间;以及

第三栅介电层,位于所述第三栅极与所述基底之间。

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