[发明专利]影像传感器

说明书

本发明公开一种影像传感器，其包括基底、第一栅极、感光元件、存储节点、至少一个第一反光层、第二反光层与第三反光层。基底具有相对的第一面与第二面。第一栅极设置在第一面的基底上。感光元件位于第一栅极的一侧的基底中。存储节点位于第一栅极的另一侧的基底中。第一反光层设置在基底中，且位于存储节点的周围。第二反光层在第一面遮蔽存储节点，且电连接至第一反光层。第三反光层在第二面遮蔽存储节点，且电连接第一反光层。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，且特别是涉及一种影像传感器。

背景技术

目前有些种类的影像传感器(如，全域快门影像传感器(global shutter imagesensor))具有位于基底中且用以存储信号的存储节点(storage node)。然而，杂散光(stray light)对存储在存储节点中的信号所造成的干扰(crosstalk)以及由界面缺陷所产生暗电流(dark current)，会造成影像品质不佳。因此，如何有效地防止杂散光干扰与降低暗电流为目前持续努力发展的目标。

发明内容

本发明提供一种影像传感器，其可有效地防止杂散光干扰与降低暗电流。

本发明提出一种影像传感器，包括基底、第一栅极、感光元件、存储节点、至少一个第一反光层、第二反光层与第三反光层。基底具有相对的第一面与第二面。第一栅极设置在第一面的基底上。感光元件位于第一栅极的一侧的基底中。存储节点位于第一栅极的另一侧的基底中。第一反光层设置在基底中，且位于存储节点的周围。第二反光层在第一面遮蔽存储节点，且电连接至第一反光层。第三反光层在第二面遮蔽存储节点，且电连接第一反光层。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，第一反光层可从第一面延伸至第二面。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，第二反光层可共形地设置在第一面。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，第一反光层的材料例如是掺杂多晶硅或金属。第二反光层的材料例如是金属或掺杂多晶硅。第三反光层的材料例如是掺杂多晶硅或金属。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，影像传感器例如是背照式影像传感器(backside illuminated image sensor，BSI image sensor)。第二反光层在第一面还可遮蔽感光元件。第三反光层可具有暴露出感光元件的开口。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，还可包括至少一个第四反光层。第四反光层设置在基底中，且位于感光元件的周围。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，还可包括第一介电层、第二介电层、第三介电层与第四介电层。第一介电层位于第一反光层与基底之间。第二介电层位于第二反光层与基底之间。第三介电层位于第三反光层与基底之间。第四介电层位于第四反光层与基底之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，还可包括第五反光层。第五反光层设置在第三反光层上。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，还可包括隔离结构。隔离结构设置在基底中，且围绕部分第一反光层。

依照本发明的一实施例所述，在上述影像传感器中，还可包括第二栅极、第三栅极、第一栅介电层、第二栅介电层与第三栅介电层。第二栅极设置在第一面的基底上，且位于存储节点的远离第一栅极的一侧。第三栅极设置在第一面的基底上，且位于第二栅极的远离存储节点的一侧。第一栅介电层位于第一栅极与基底之间。第二栅介电层位于第二栅极与基底之间。第三栅介电层位于第三栅极与基底之间。