[发明专利]存储器件的制造方法及沉积半导体材料于基板的方法

权利要求书

1.一种存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体基板；

将所述半导体基板所在的环境温度调节到第一温度后维持在第一温度预设时长，然后由第一温度逐渐升温至第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第一半导体材料于所述半导体基板上；

将所述环境温度维持在第二温度预设时长后，继续在所述第二温度的环境下沉积所述第一半导体材料，两次沉积的第一半导体材料形成位线接触点；

形成与所述位线接触点连接的位线；

将所述半导体基板所在的环境温度调节至所述第一温度，然后由所述第一温度逐渐升温至所述第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第二半导体材料于所述半导体基板上；

将所述环境温度维持在所述第二温度，继续沉积所述第二半导体材料，两次沉积的第二半导体材料形成存储节点。

2.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一温度为360～400℃，所述第二温度为530～570℃。

3.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中，温度每分钟升高3～8℃。

4.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，由所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的时长为20～60分钟。

5.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料均为多晶硅。

6.如权利要求1所述的存储器件的制造方法，其特征在于，在沉积第一半导体材料之前，在所述半导体基板中设置栅极；形成覆盖所述半导体基板和所述栅极的第一绝缘层，图案化所述第一绝缘层形成多个位于相邻栅极之间的第一通孔，所述第一半导体材料沉积于所述第一通孔之中；在形成所述位线之后，形成覆盖所述位线和所述第一绝缘层的第二绝缘层，图案化所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成多个暴露所述半导体基板的第二通孔，所述第二半导体材料沉积于所述第二通孔之中。

7.一种沉积半导体材料于基板的方法，其特征在于，包括:

提供基板；

将基板所在的环境温度调节至第一温度后维持在第一温度预设时长，然后由第一温度逐渐升温至第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第一半导体材料于所述基板上；

将所述环境温度维持在第二温度预设时长后，继续在所述第二温度的环境下沉积所述第一半导体材料，两次沉积的所述第一半导体材料形成第一半导体层。

8.如权利要求7所述的沉积半导体材料于基板的方法，其特征在于，所述第一温度为360～400℃，所述第二温度为530～570℃。

9.如权利要求7所述的沉积半导体材料于基板的方法，其特征在于，所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中，温度每分钟升高3～8℃。

10.如权利要求7所述的沉积半导体材料于基板的方法，其特征在于，所述第一半导体材料为多晶硅。