[发明专利]存储器件的制造方法及沉积半导体材料于基板的方法

说明书

本发明提供一种存储器件的制造方法，包括提供半导体基板，在将温度由第一温度逐渐升温至第二温度的过程中沉积第一半导体材料；在维持所述第二温度的过程中，继续沉积所述第一半导体材料，两次沉积第一半导体材料形成位线接触点；并以相同的方法沉积第二半导体材料形成存储节点。本发明还提供一种沉积半导体材料于基板的方法。本发明的存储器件的制造方法不仅可以改善半导体层的孔洞和间隙，还可以节省制程的时间，提高制造效率。

技术领域

本发明涉及一种存储器件的制造方法及一种沉积半导体材料于基板的方法。

背景技术

现如今，半导体元器件已广泛地得到使用。半导体元器件的制备是在基础的硅晶圆基底上进行，经过一系列选择性蚀刻与薄膜沉积，从而在晶圆上形成极小的结构，实现电路设计的功能。动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。每一存储单元主要由一个晶体管与一个由晶体管操控的电容器构成，且存储单元会排列成阵列形式，每一存储单元通过字线与位线彼此电性连接。

存储器件中的位线接触点和存储节点可由多晶硅材料沉积形成。在高温的环境下沉积形成所述位线接触点和存储节点时，多晶硅层容易出现空洞和间隙，影响存储器件的性能。

发明内容

鉴于此，本发明提供一种能够在沉积多晶硅层时改善孔洞和间隙产生的存储器件的制造方法。

一种存储器件的制造方法，包括：

提供半导体基板；

将所述半导体基板所在的环境温度调节到第一温度后维持在第一温度预设时长，然后由第一温度逐渐升温至第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第一半导体材料于所述半导体基板上；

将所述环境温度维持在所述第二温度预设时长后，继续在所述第二温度的环境下沉积所述第一半导体材料，两次沉积的第一半导体材料形成位线接触点；

形成与所述位线接触点连接的位线；

将所述半导体基板所在的环境温度调节至所述第一温度，然后由所述第一温度逐渐升温至所述第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第二半导体材料于所述半导体基板上；

将所述环境温度维持在所述第二温度，继续沉积所述第二半导体材料，两次沉积的第二半导体材料形成存储节点。

本发明还提供一种沉积半导体材料于基板的方法。

一种沉积半导体材料于基板的方法，包括:

提供基板；

将基板所在的环境温度调节至第一温度后维持在第一温度预设时长，然后由第一温度逐渐升温至第二温度；

在所述第一温度逐渐升温至所述第二温度的过程中沉积第一半导体材料于所述基板上；

将所述环境温度维持在所述第二温度预设时长后，继续在所述第二温度的环境下沉积所述第一半导体材料。

相较于现有技术，本发明的存储器件的制造方法在由第一温度升温至第二温度的过程中，一边升温一边沉积第一半导体材料，之后维持第二温度，再继续沉积第一半导体材料，不仅可以改善半导体层的孔洞和间隙，还可以节省制程的时间，提高制造效率。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例的存储器件的制造流程图。

图2～6是制造本发明一较佳实施例的存储器件的剖面结构示意图。

图7是沉积半导体材料时的温度控制图。