[发明专利]集成电路板的清洗方法在审
| 申请号： | 201911043484.7 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112750683A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 何际福 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C11D7/02;C11D7/08;C11D7/26;C11D7/30;C11D7/50;C11D7/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 电路板 清洗 方法 | ||
1.一种集成电路板的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)采用压缩空气吹除集成电路板表面粘附的灰尘；
(2)将集成电路板浸泡于第一清洗液中，超声清洗8～10min，所述第一清洗液为氯仿和酒精的混合液；
(3)用水冲洗集成电路板；
(4)用压缩空气吹除集成电路板表面的水滴；
(5)用第二清洗液对集成电路板进行喷淋清洗，所述第二清洗液为硫酸、双氧水和水的混合液；
(6)用水冲洗集成电路板，烘干，即得清洗后的集成电路板。
2.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，所述第一清洗液中，氯仿和酒精的重量之比为：氯仿：酒精＝1:90～110。
3.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液包含以下重量百分含量的组分：硫酸8～12％、双氧水25～35％和余量的水。
4.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，所述第二清洗液包含以下重量百分含量的组分：硫酸10％、双氧水30％和余量的水。
5.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，步骤(2)中，超声功率为100～150kHZ，时间为8～10min，温度为35～40℃。
6.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，步骤(5)中，所述喷淋压力为15～25MPa，时间为60-100秒，第二清洗液的温度为20～40℃。
7.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，步骤(3)中，所述水的电导率小于0.05us/cm。
8.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，步骤(6)中，所述水的电导率小于0.01us/cm。
9.如权利要求1所述集成电路板的清洗方法，其特征在于，步骤(6)中，所述烘干的温度为65-80℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
