[发明专利]集成电路板的清洗方法在审
申请号: | 201911043484.7 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN112750683A | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 何际福 | 申请(专利权)人: | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C11D7/02;C11D7/08;C11D7/26;C11D7/30;C11D7/50;C11D7/60 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
地址: | 523087 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成 电路板 清洗 方法 | ||
本发明公开了一种集成电路板的清洗方法,包括以下步骤:(1)采用压缩空气吹除集成电路板表面粘附的灰尘;(2)将集成电路板浸泡于第一清洗液中,超声清洗8~10min,所述第一清洗液为氯仿和酒精的混合液;(3)用水冲洗集成电路板;(4)用压缩空气吹除集成电路板表面的水滴;(5)用第二清洗液对集成电路板进行喷淋清洗,所述第二清洗液为硫酸、双氧水和水的混合液;(6)用水冲洗集成电路板,烘干,即得清洗后的集成电路板。本发明所述方法采用第一清洗液清洗表面的有机残留物质,然后利用第二清洗液的强氧化剂和脱水性使有机物的碳氢键结得到彻底破坏,以达到有机杂质完全清除的目的,两步清洗可以完全将集成电路板清洗干净。
技术领域
本发明涉及一种器件的清洗方法,具体涉及一种集成电路板的清洗方法。
背景技术
集成电路作为电子产品中的核心部件,其质量的好坏直接决定了到电子整机产品的性能和可靠性的高低。在集成电路的制备过程中,其表面粘附的颗粒、有机物、金属等污染物严重影响器件的性能。目前现有的集成电路板清洗方法采用溶剂清洗,但是清洗不干净;如果想要清洗干净的话,需要调整溶配方,而通常的配方对电路板本身是有损害的。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种集成电路板的清洗方法。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:一种集成电路板的清洗方法,包括以下步骤:
(1)采用压缩空气吹除集成电路板表面粘附的灰尘;
(2)将集成电路板浸泡于第一清洗液中,超声清洗8~10min,所述第一清洗液为氯仿和酒精的混合液;
(3)用水冲洗集成电路板;
(4)用压缩空气吹除集成电路板表面的水滴;
(5)用第二清洗液对集成电路板进行喷淋清洗,所述第二清洗液为硫酸、双氧水和水的混合液;
(6)用水冲洗集成电路板,烘干,即得清洗后的集成电路板。
本发明所述集成电路板的清洗方法先采用第一清洗液清洗表面的有机残留物质,然后利用第二清洗液清除表面的金属物质,以及利用第二清洗液的强氧化剂和脱水性使有机物的碳氢键结得到彻底破坏,以达到有机杂质完全清除的目的,两步清洗可以完全将集成电路板清洗干净,而不损伤电路板本身。
优选地,所述第一清洗液中,氯仿和酒精的重量之比为:氯仿:酒精=1:90~110。更优选地,氯仿和酒精的重量之比为:氯仿:酒精=1:100。上述成分的第一清洗液可以有效清除集成电路板表面的有机残留杂质。
优选地,所述第二清洗液包含以下重量百分含量的组分:硫酸8~12%、双氧水25~35%和余量的水。更优选地,所述第二清洗液中包含以下重量百分含量的组分:硫酸10%、双氧水30%和水60%。采用上述配比的第二清洗液可以在短时间内对金属和有机物的清洗效果显著。
优选地,步骤(2)中,超声功率为100~150kHZ,时间为8~10min,温度为35~40℃。
优选地,步骤(5)中,所述喷淋压力为15~25MPa,时间为60-100秒,第二清洗液的温度为20~40℃。
优选地,步骤(3)中,所述水的电导率小于0.05us/cm。
优选地,步骤(6)中,所述水的电导率小于0.01us/cm。
优选地,步骤(6)中,所述烘干的温度为65-80℃。
本发明的有益效果在于:本发明提供了一种集成电路板的清洗方法。本发明方法采用两种溶剂清洗,第一清洗液清洗表面的有机残留物质,然后利用第二清洗液的强氧化剂和脱水性使有机物的碳氢键结得到彻底破坏,以达到有机杂质完全清除的目的,两步清洗可以完全将集成电路板清洗干净。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造