[发明专利]制造半导体结构的方法在审
| 申请号： | 201911043782.6 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112447583A | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 管式凡 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;董云海 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 结构 方法 | ||
1.一种制造半导体结构的方法，其特征在于，包括：
在基板上形成前驱结构，其中所述前驱结构包括：
第一导电结构，位在所述基板上；
第一间隔物层，覆盖所述第一导电结构，其中所述第一间隔物层具有沿着所述基板延伸的横向部分；以及
间隔氧化物层，位在所述第一间隔物层上并暴露所述第一间隔物层的顶表面；
使所述间隔氧化物层凹陷；
形成第二间隔物层覆盖所述间隔氧化物层和所述第一间隔物层；
蚀刻所述第二间隔物层的一部分和所述间隔氧化物层的一部分，以暴露所述第一间隔物层的所述横向部分；
蚀刻剩余的所述间隔氧化物层，以在所述第一间隔物层与所述第二间隔物层之间形成气隙；以及
在所述第一间隔物层的所述横向部分上形成第三间隔物层以密封所述气隙。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述前驱结构包括：
在所述第一导电结构上形成第一间隔物层；
在所述第一间隔物层上形成间隔氧化物材料层；
在所述间隔氧化物材料层上形成光阻层；以及
执行平坦化工艺以暴露所述第一间隔物层的所述顶表面。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一间隔物层、所述第二间隔物层及所述第三间隔物层包含氮化物。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔氧化物层包含掺杂的氧化物。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔氧化物层具有比所述第一间隔物层和所述第二间隔物层高的蚀刻选择性。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述间隔氧化物层的顶表面与所述第一间隔物层的所述顶表面齐平。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，使所述间隔氧化物层凹陷包括蚀刻所述间隔氧化物层的1/10-2/3。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻剩余的所述间隔氧化物层包括使用包含氢氟酸的蚀刻剂从剩余的所述间隔氧化物层的底部进行蚀刻。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述气隙的厚度为1-20nm。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括与所述第一导电结构相邻的第二导电结构，其中所述第二导电结构通过所述气隙与所述第一导电结构分开。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
