[发明专利]制造半导体结构的方法

说明书

本发明公开了一种制造半导体结构的方法，包括在基板上形成前驱结构。前驱结构依序在基板上包括第一导电结构、第一间隔物层和间隔氧化物层。间隔氧化物层暴露第一间隔物层的顶表面。随后使间隔氧化物层凹陷。形成第二间隔物层以覆盖间隔氧化物层和第一间隔物层。随后蚀刻第二间隔物层的一部分和间隔氧化物层的一部分以暴露第一间隔物层的横向部分。蚀刻剩余的间隔氧化物层以在第一间隔物层与第二间隔物层之间形成气隙。在第一间隔物层的横向部分上形成第三间隔物层以密封气隙。本发明的半导体结构可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容。

技术领域

本发明是关于一种制造半导体结构的方法。更特定言之，本发明是关于一种制造具有气隙的半导体结构的方法。

背景技术

由于两个相邻的导电结构彼此靠近，因此它们之间存在寄生电容。例如，在动态随机存取存储器(DRAM)中，比特线容易与其他导电结构(诸如触点、金属线(例如，字线)和相关导体(例如DRAM电容器))具有寄生电容，此将使RC延迟更严重或使DRAM感测放大信号不足。

随着半导体元件的高度整合，导电结构之间的距离逐渐减小。因此，导电结构之间的寄生电容增加。因此，需要一种用于减小寄生电容的新颖方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可以减小相邻的导电结构之间的寄生电容的制造半导体结构的方法。

根据本发明的一个目的提供了一种制造半导体结构的方法。此方法包括以下操作。在基板上形成前驱结构。前驱结构包括第一导电结构、第一间隔物层和间隔氧化物层。第一导电结构在基板上。第一间隔物层覆盖第一导电结构并且具有沿着基板延伸的横向部分。间隔氧化物层在第一间隔物层上并且暴露第一间隔物层的顶表面。使间隔氧化物层凹陷。形成第二间隔物层覆盖间隔氧化物层和第一间隔物层。蚀刻第二间隔物层的一部分和间隔氧化物层的一部分以暴露第一间隔物层的横向部分。蚀刻剩余的间隔氧化物层以在第一间隔物层与第二间隔物层之间形成气隙。在第一间隔物层的横向部分上形成第三间隔物层以密封气隙。

根据本发明的一些实施例，形成前驱结构包括以下操作：在第一导电结构上形成第一间隔物层；在第一间隔物层上形成间隔氧化物材料层；在间隔氧化物材料层上形成光阻层；以及执行平坦化工艺以暴露出第一间隔物层的顶表面。

根据本发明的一些实施例，第一间隔物层、第二间隔物层和第三间隔物层包括氮化物。

根据本发明的一些实施例，间隔氧化物层包括掺杂的氧化物。

根据本发明的一些实施例，间隔氧化物层具有比第一间隔物层和第二间隔物层高的蚀刻选择性。

根据本发明的一些实施例，间隔氧化物层的顶表面与第一间隔物层的顶表面齐平。

根据本发明的一些实施例，使间隔氧化物层凹陷包括蚀刻约1/10-2/3的间隔氧化物层。

根据本发明的一些实施例，蚀刻剩余的间隔氧化物层包括使用包含氢氟酸(HF)的蚀刻剂从剩余的间隔氧化物层的底部进行蚀刻。

根据本发明的一些实施例，气隙的厚度为约1-20nm。

根据本发明的一些实施例，半导体结构亦包括与第一导电结构相邻的第二导电结构，其中第二导电结构通过气隙与第一导电结构分开。

应当理解，前面的一般描述和下面的详细描述都是举例，并且旨在提供对所主张保护的本发明的进一步解释。

附图说明

当结合附图阅读时，从以下详细描述可以最好地理解本发明的各目的。应注意，根据行业中的标准实践，各种特征未按比例绘制。实际上，为了论述的清楚性，可以任意地增大或缩小各种特征的尺寸。

图1是图示根据本发明一些实施例的制造半导体结构的方法的流程图。