[发明专利]光学模块及其制造方法有效
申请号: | 201911043925.3 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111381327B | 公开(公告)日: | 2022-02-01 |
发明(设计)人: | 柴田康平;伊藤达也 | 申请(专利权)人: | 富士通光器件株式会社 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 张美芹;刘久亮 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光学 模块 及其 制造 方法 | ||
一种光学模块及其制造方法,该光学模块包括:光学半导体芯片,其具有第一表面,该第一表面包括激光束照射区域和解理区域;光纤,其光学耦合至所述第一表面;和支撑构件,其具有结合至所述第一表面的第二表面,并被构造成支撑所述光纤。所述光学半导体芯片具有位于解理区域中的光学信号输入和输出部分,并且所述第二表面在所述解理区域内结合至所述第一表面。
技术领域
本文中讨论的实施方式涉及光学模块及其制造方法。
背景技术
作为从半导体晶圆切出多个半导体芯片的方法,存在将激光束照射在半导体晶圆的待切割部分上的已知方法,例如隐形切割技术。根据该已知方法,与切割方法相比,可以减少切割半导体晶圆所需的时间。
然而,通过照射激光束的已知方法获得的半导体芯片的切割表面比通过切割方法获得的半导体芯片的切割表面更粗糙。为此,当使用该已知方法从半导体晶圆切出半导体芯片并且借助对接接头将光纤连接至切割表面时,因为光纤与半导体芯片的输入和输出部分分开与切割表面的粗糙度相对应的量,所以光学信号容易衰减。换句话说,在对接接头处的光耦合损耗变大。
例如,日本特开2002-192370号公报(现日本专利3408805号)和日本特开2006-068816号公报(现日本专利4197693号)中描述了激光束加工的实施例。
发明内容
因此,实施方式的一个方面的目的是提供一种光学模块及其制造方法,其能够减少对接接头处的光耦合损失。
根据实施方式的一个方面,一种光学模块包括:光学半导体芯片,其具有第一表面,该第一表面包括激光束照射区域和解理区域;光纤,其光学耦合至所述第一表面;和支撑构件,其具有结合至所述第一表面的第二表面,并被构造成支撑所述光纤,其中,所述光学半导体芯片具有位于解理区域中的光学信号输入和输出部分,并且其中所述第二表面在所述解理区域内结合至所述第一表面。
本发明的目的和优点将借助于权利要求中特别指出的要素和组合来实现和获得。
应当理解,如所声称的,前面的总体描述和下面的详细描述都是示例性和说明性的,并且不限制本发明。
附图说明
图1是示出根据一个实施方式的光学模块的结构的立体图。
图2是示出根据一个实施方式的光学模块的结构的分解立体图。
图3是示出模式直径为4μm的情况下的公差的实施例的图。
图4是示出解理区域内的变形区域的图。
图5是示出支撑构件的另一实施例的立体图。
图6是示出支撑构件的又一实施例的立体图。
图7是示出剪切强度的分布的图。
图8A是用于说明根据一个实施方式的光学模块的制造方法的平面图。
图8B是用于说明根据一个实施方式的光学模块的制造方法的平面图。
图8C是用于说明根据一个实施方式的光学模块的制造方法的平面图。
图9是示出隐形切割之前的半导体晶圆的立体图。
具体实施方式
将参考附图描述本发明的优选实施方式。
现在将根据本发明的每个实施方式描述光学模块及其制造方法。在附图中,功能上相同的那些部分由相同的附图标记表示,并且可以省略对功能相同的部分的重复描述。
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