[发明专利]一种偏振装置在审
| 申请号： | 201911044611.5 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN112748493A | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 于增辉 | 申请（专利权）人： | 中移(苏州)软件技术有限公司;中国移动通信集团有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/126 | 分类号： | G02B6/126 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王姗姗;张颖玲 |
| 地址： | 215163 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 装置 | ||
1.一种偏振装置，其特征在于，所述装置包括：依次相接设置的输入波导、混合波导和输出波导；其中，
所述输入波导和所述输出波导均包括：第一波导层和第二波导层；
所述混合波导包括：所述第一波导层、所述第二波导层和第三波导层；
其中，所述第一波导层为硅波导层；所述第二波导层为氮化硅波导层；所述第三波导层为GST波导层。
2.根据权利要求1所述的偏振装置，其特征在于，
所述输入波导、所述混合波导和所述输出波导的宽度相同，厚度相同。
3.根据权利要求2所述的偏振装置，其特征在于，
所述输入波导、所述混合波导和所述输出波导的宽度均为290nm-310nm，厚度均为380nm-420nm。
4.根据权利要求3所述的偏振装置，其特征在于，
在所述输入波导中，所述硅波导层位于所述氮化硅波导层的下方；
在所述输出波导中，所述硅波导层位于所述氮化硅波导层的下方。
5.根据权利要求3所述的偏振装置，其特征在于，
在所述混合波导中，所述GST波导层位于所述硅波导层的上方，所述氮化硅波导层位于所述GST波导层的上方。
6.根据权利要求4所述的偏振装置，其特征在于，
所述硅波导层的厚度为90nm-110nm；所述氮化硅波导层的厚度为290nm-310nm。
7.根据权利要求5所述的偏振装置，其特征在于，
所述硅波导层的厚度为90nm-110nm；所述氮化硅波导层的厚度为270-290nm；所述GST波导层的厚度为20nm，长度为1000nm。
8.根据权利要求1-7任一项所述的偏振装置，其特征在于，
所述GST波导层具有第一状态和第二状态；其中，
所述GST波导层在第一状态下，以第一模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出第一类型和第二类型的偏振光；
所述GST波导层在第二状态下，以第二模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出第二类型的偏振光。
9.根据权利要求8所述的偏振装置，其特征在于，
所述第一状态为非晶态；
所述第二状态为晶态。
10.根据权利要求9所述的偏振装置，其特征在于，
所述GST波导层为非晶态的情况下，以第一模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出横电模TE偏振光和横磁模TM偏振光；或者，
所述GST波导层为晶态的情况下，以第一模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出TM模偏振光。
11.根据权利要求1所述的偏振装置，其特征在于，所述装置还包括：基片；其中，
所述基片上依次相接设置有所述输入波导、所述混合波导和所述输出波导。
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