[发明专利]一种偏振装置

说明书

本申请实施例提供了一种偏振装置，所述装置包括：依次相接设置的输入波导、混合波导和输出波导；其中，所述输入波导和所述输出波导均包括：第一波导层和第二波导层；所述混合波导包括：所述第一波导层、所述第二波导层和第三波导层；其中，所述第一波导层为硅波导层；所述第二波导层为氮化硅波导层；所述第三波导层为GST波导层。从而通过控制GST波导层的状态，实现对不同模式的光信号的控制。

技术领域

本申请涉及光通信技术领域，尤其涉及一种偏振装置。

背景技术

随着现代光通信和密集波分复用技术(Density Wavelength DivisionMultiplexing，DWDM)的迅猛发展，光纤通信技术已成为当今通信网络的支柱。作为光纤通信网络中关键光器件之一，偏振器具有广阔的发展和应用前景，并且一直是科研人员研究与开发的重点。偏振器主要功能是利用横电模(Transverse Electric Mode，TE)、横磁模(Transverse Magnetic，TM)偏振光不同的截止波长、耦合距离、能量损耗等原理来保留需要偏振方向的光，消除不需要偏振方向的光。随着芯片集成度不断提高，对同一芯片上集成的偏振器的性能和结构的要求不断提高。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种偏振装置。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种偏振装置，所述装置包括：依次相接设置的输入波导、混合波导和输出波导；其中，

所述输入波导和所述输出波导均包括：第一波导层和第二波导层；

所述混合波导包括：所述第一波导层、所述第二波导层和第三波导层；

其中，所述第一波导层为硅波导层；所述第二波导层为氮化硅波导层；所述第三波导层为GST波导层。

在一种可选的实施方式中，所述输入波导、所述混合波导和所述输出波导的宽度相同，厚度相同。

在一种可选的实施方式中，所述输入波导、所述混合波导和所述输出波导的宽度均为290nm-310nm，厚度均为380nm-420nm。

在一种可选的实施方式中，在所述输入波导中，所述硅波导层位于所述氮化硅波导层的下方；

在所述输出波导中，所述硅波导层位于所述氮化硅波导层的下方。

在一种可选的实施方式中，在所述混合波导中，所述GST波导层位于所述硅波导层的上方，所述氮化硅波导层位于所述GST波导层的上方。

在一种可选的实施方式中，所述硅波导层的厚度为90nm-110nm；所述氮化硅波导层的厚度为290nm-310nm。

在一种可选的实施方式中，所述硅波导层的厚度为90nm-110nm；所述氮化硅波导层的厚度为270-290nm；所述GST波导层的厚度为20nm，长度为1000nm。

在一种可选的实施方式中，所述GST波导层具有第一状态和第二状态；其中，

所述GST波导层在第一状态下，以第一模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出第一类型和第二类型的偏振光；

所述GST波导层在第二状态下，以第二模式对输入所述输入波导的光信号的偏振方向进行控制，以经由所述输出波导输出第二类型的偏振光。

在一种可选的实施方式中，所述第一状态为非晶态；

所述第二状态为晶态。