[发明专利]一种基于PLC的单晶炉水冷系统在审

专利信息
申请号: 201911045221.X 申请日: 2019-10-30
公开(公告)号: CN112746311A 公开(公告)日: 2021-05-04
发明(设计)人: 康志亮;张镭铎;姜继东;谢佳男;牟琴;陈文溆乐;钱美雯 申请(专利权)人: 四川农业大学
主分类号: C30B15/00 分类号: C30B15/00;C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 611130 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 plc 单晶炉 水冷 系统
【说明书】:

发明涉及一种基于PLC的单晶炉水冷系统,系统包括变频恒压供水系统、风机冷却水塔系统以及炉体冷却系统,主要应用于单晶炉的炉体及硅棒冷却。变频恒压供水系统,包括S7‑300 PLC、压力传感器、MM430变频器以及水泵机组,实现了根据压力反馈值适时调节流量,自动化恒压供水;风机冷却水塔系统,包括水冷塔、风机组以及板热交换装置,能够结合环境温度,通过PLC调节风机组开启数量,增大水流表面空气流水以降低温度,相比于常用的冰机冷却成本更低;炉体冷却系统,分为主炉体冷却系统(上、下)与水冷套,前者用­­于冷却高温工作时的单晶炉体,后者用于改善炉内热场结构,提高单晶炉拉速以增加产量。系统具有实用性强、工作稳定可靠、运作成本低的优点。

技术领域

本发明涉及PLC自动控制技术、传感器检测技术,尤其涉及可以优化单晶炉内热场结构以提高生产拉速,是一种基于PLC的单晶炉水冷系统。

技术背景

单晶硅是当代光伏产业的重要支柱,各个国家都先后掀起了生产单晶硅的浪潮。

单晶硅的制备目前绝大部分采用直拉CZ生长法,生产设备为单晶炉,通过可编程逻辑控制器(PLC)控制工艺流程,在1420℃、1000Pa的环境下完成生产,制备一根完整硅棒一般需要超过100个小时。

单晶硅生产经过引晶、缩颈、放肩、等径、收尾五个流程,各个阶段中,炉内热场结构都与拉速息息相关。

单晶炉内的工作温度在1400℃以上,而采用不锈钢材料的炉体一般超过300℃就会发生形变,影响炉体寿命从而造成巨大的经济损失,水冷系统的必要性不言而喻。

图1为该单晶炉水冷系统的整体结构图,主要部分包括变频恒压供水系统(1)、风机冷却水塔系统(2)以及炉体冷却系统(3)。

由于水冷系统直接作用于炉体和炉内热场结构,如果供水不稳定,出现断水、阻塞以及水速减慢的情况时,炉内的高温会直接造成炉体材料变形、加热电极融化,对单晶硅的质量与炉子的寿命造成致命影响。但是,传统的循环供水技术相对落后,自动化程度低,在单晶硅漫长的生产周期中,难以一直保持工艺水的供水压力稳定。

另一方面,目前的水冷系统只实现了对炉体的冷却,并没有改善炉内热场结构,不能完成对晶棒温度梯度的调控,难以为单晶炉拉速的提升创造先决条件。

天气炎热时,风机冷却水塔及工艺水池温度上升,大部分厂家会在冷却水塔的基础上,采用冰机降温以实现相近的制冷效果。但冰机价格昂贵,而且大部分时间被关闭闲置,导致水冷系统整体成本较高。

发明内容

本发明的目的在于,变频恒压供水系统(1)中,检测炉体进水口压力值,通过S7-300 PLC(4)控制MM430(5)专用水泵变频器调节供水系统中的水泵机组(8-10),实现了自动化变频恒压供水;风机冷却水塔系统中(2),用“分流+风机组”的降温方式代替传统的“冰机”,实现冷却水的低成本降温;炉体冷却系统(3)中加入水冷套(21),改善炉内热场结构,及时传走硅棒的结晶潜热,为提升单晶炉拉速创造先决条件。

变频恒压供水系统(1)通过“压力传感器+PLC+变频器+水泵”的控制模式,使系统能根据单晶炉进水口(6)压力,适时调节三台水泵(8-10)运行频率,自动降低进水口压力值的波动。

风机冷却水塔系统(2)采用“分流+风机组”代替“冰机+水冷塔”二级降温,冷却水经过外循环后回到水冷塔,由分流管(11)分成几股流,水流暴露在空气中,在不同温度下打开不同数目的风机组(12-15),通过加快冷却水表面空气流速达到降温效果。

在炉体冷却系统(3)中,本例依托于炉内原有的导流管(26)设计了 “水冷套”结构(21),中间隔以钼制薄壁,内部为双螺旋型水流管道。工艺水通过螺旋流动带走炉内热量,增大硅棒温度梯度,从而为拉速的提升设置前提。经实际生产检测,对于目标直径240mm的单晶炉,该水冷套能将拉速由0.8mm/min提升至1.6mm/min。

附图说明

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