[发明专利]一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺

权利要求书

1.一种电磁场渗析装置，其特征在于：包括膜堆（1）、阳极板（2）以及阴极板（3）；所述阳极板（2）、阴极板（3）分别位于膜堆（1）两侧，所述阳极板（2）、膜堆（1）之间设置有阳极池（21），所述膜堆（1）、阴极板（3）之间设置有阴极池（31）；所述膜堆（1）内设有两个单元电渗析池（11）；所述单元电渗析池（11）从左到右包括液室（111）、酸室（112）、料室（113）以及碱室（114）。

2.根据权利要求1所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述单元电渗析池（11）还包括膜组（115），所述膜组（115）包括双极膜一（1151）、阳离子交换膜一（1152）、阴离子交换膜（1153）、阳离子交换膜二（1154）以及双极膜二（1155）；所述双极膜一（1151）设置在液室（111）内；所述阳离子交换膜一（1152）设置在酸室（112）内；所述阴离子交换膜（1153）设置在料室（113）内；所述阳离子交换膜二（1154）设置在碱室（114）内；所述双极膜二（1155）设置在阴极池（31）内。

3.根据权利要求1所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述液室（111）与酸室（112）之间设有隔板（116）；所述酸室（112）与料室（113）之间设有隔板（116）；所述料室（113）与碱室（114）之间设有隔板（116）；所述碱室（114）与阴极池（31）之间设有隔板（116）。

4.根据权利要求3所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述隔板（116）的厚度为0.7mm。

5.根据权利要求1所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述阳极板（2）、阴极板（3）均为钛锻钌材料。

6.根据权利要求2所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述双极膜一（1151）、双极膜二（1155）为FBM型Selemion膜，厚度为0.1-0.3mm，并且在使用前在四甲基氯化胺溶液中浸泡10h-15h。

7.根据权利要求2所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述阳离子交换膜一（1152）为CMV型Selemion膜，厚度为0.1-0.3mm，并且在使用前在四丙基溴化铵溶液中浸泡10-15h。

8.根据权利要求2所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述阴离子交换膜（1153）为AMV型Selemion膜，厚度为0.16-0.23mm，并且在使用前在甲基三乙基氯化铵溶液中浸泡10-15h。

9.根据权利要求2所述的一种电磁场渗析装置，其特征在于：所述阳离子交换膜二（1154）为JCM-Ⅱ-05型Selemion膜，厚度为0.16-0.23mm，并且在使用前在苄基三甲基氯化铵溶液中浸泡10-15h。

10.一种利用权利要求1-9所述的电磁场渗析装置进行升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1）前期准备：组建电磁场渗析装置；

（2）原料准备：称取0.1mol/L H₂SO₄溶液、0.2mol/L R₄NH水溶液、 0.3mol/L （R₄N）SO₄溶液、去离子水；

（3）制备：向液室（111）里面加入去离子水，酸室（112）加入H₂SO₄溶液，料室（113）中加入去离子水，碱室（114）中加入R₄NH水溶液，向阳极池（21）、阴极池（31）分别加入等同体积的（R₄N）SO₄溶液；接通各磁力泵电源，待所述磁力泵中与膜堆（1）内的空气排尽后，接通膜堆（1）两侧的直流电源，电磁场渗析器开始工作，即可制得所述季铵碱。