[发明专利]一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺

说明书

一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺，包括如下步骤：前期准备、原料准备、制备，所述前期准备为组建电磁场渗析装置；所述电磁场渗析装置，包括膜堆、阳极板、阴极板；所述阳极板、阴极板分别位于所述膜堆两侧，所述阳极板与所述膜堆之间设置有阳极池，所述膜堆、阴极板之间设置有阴极池；所述膜堆内设置有两个单元电渗析池；所述单元电渗析池的结构相同；本发明所述的升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺，在生产成本上，电耗远低于传统生产工艺电膜反应器法，在过程平均电流效率方面，高于电膜反应器法30%，在纯度方面，该工艺提高了纯度，应用前景广泛。

技术领域

本发明属于化学品制备工艺技术领域，具体涉及一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺。

背景技术

半导体，指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。

如今，半导体集成度已提高到亚微领域，以致半导体制造过程中,配线和氧化膜上附着的污染物(灰尘、金属离子等)会引起断路、短路、或绝缘耐压不足等故障。因此，需采用化学品洗涤及光致抗蚀剂剥离等工序，半导休制造工艺中化学品主要用在洗涤(含干燥)、光印刷和蚀刻等工序，集成度(位/芯片)、图形尺寸（μm）对化学品纯度(金属杂质和粒子)提出一定的要求, 要求各工序所用化学品达到超高纯级。

季铵碱，是一类通式为R₄NOH的化合物，具有强碱性，易潮解，易溶于水以及醇类等有机溶剂并能吸收空气中的CO₂。季铵碱具有广泛的用途，如一些烷基化季铵碱如四甲基氢氧化铵、四丙基氧氧化铵在可用于半导休制造工艺中的洗涤工序。例如，电子领域电路板的光刻显影剂及微电子芯片制造中的清洗剂等，该可以作为铁桂分子蹄合成的模板剂和碱源等。

发明内容

发明目的：为了克服以上不足，本发明的目的是提供一种升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺，工艺简单，在生产成本上，电耗远低于传统生产工艺电膜反应器法，在过程平均电流效率方面，高于电膜反应器法30%，在纯度方面，该工艺提高了纯度，应用前景广泛。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

一种用于升级半导体化学品纯度的有机相电磁场渗析工艺，其特征在于，包括如下步骤：

（1） 前期准备：组建电磁场渗析装置；

所述电磁场渗析装置包括膜堆、阳极板以及阴极板；所述阳极板、阴极板分别位于膜堆两侧，所述阳极板与所述膜堆之间设置有阳极池，所述膜堆、阴极板之间设置有阴极池；所述膜堆内设有两个单元电渗析池；所述单元电渗析池从左到右包括液室、酸室、料室以及碱室；

液室、酸室、料室以及碱室分别通过磁力泵与外界的储槽相连通，然后再由膜堆上的出料口返回到外界的储槽内，构成一个独立的内循环；

（2）原料准备：所述原料包括0.1mol/L H₂SO₄溶液、0.2mol/L R₄NH水溶液、 0.3mol/L（R₄N）SO₄溶液、去离子水；