[发明专利]半导体制造设备在审
申请号: | 201911045780.0 | 申请日: | 2019-10-30 |
公开(公告)号: | CN111128795A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 杨建勋;林立德;林斌彦 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 黄艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 制造 设备 | ||
1.一种半导体制造设备,包括:
一来源腔室,可操作以产生多个荷电粒子;以及
一加工腔室,与该来源腔室结合,且配置以从该来源腔室接收所述荷电粒子,其中该加工腔室包括:
一晶圆台,可操作以固定及移动一晶圆;以及
一激光荷电粒子交互作用模块,其中还包括一激光源,以产生一第一激光光束;一光束分离器,配置以分离该第一激光光束成一第二激光光束及一第三激光光束;以及一反射镜,配置以反射该第三激光光束,使得该第三激光光束被重新导向以与该第二激光光束相交,以在所述荷电粒子的一路径形成一激光干涉图样,且其中该激光干涉图样在一微区域模式中调制所述荷电粒子,以使用被调制的所述荷电粒子加工该晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造