[发明专利]半导体制造设备

说明书

一种半导体制造设备，包括一来源腔室以及一加工腔室。来源腔室可操作以产生数个荷电粒子；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收荷电粒子。加工腔室包括一晶圆台以及一激光荷电粒子交互作用模块。晶圆台可操作以固定及移动晶圆；激光荷电粒子交互作用模块还包括一激光源、一光束分离器以及一反射镜。激光源产生第一激光光束；光束分离器配置以分离第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射镜配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新导向以与第二激光光束相交，以在荷电粒子的路径形成激光干涉图样，且激光干涉图样在微区域模式中调制荷电粒子，以使用被调制的荷电粒子加工晶圆。

技术领域

本公开实施例涉及一种半导体制造设备及方法，特别涉及一种包括激光荷电粒子交互作用的半导体制造设备及方法。

背景技术

半导体集成电路(integrated circuit，IC)产业经历了指数性的成长。集成电路材料及设计的技术进步已生产了多个世代的集成电路，其中每个世代都比前一个世代具有更小且更复杂的电路。在集成电路演化的过程中，在几何尺寸(例如，使用制造制程可产生的最小元件或线段)减小的同时，功能性密度(例如，每单位芯片区域的互连装置数量)通常会增加。此缩小化的过程通常通过增加生产效率及降低相关成本而提供效益。这样的缩小化也增加了加工及生产集成电路的复杂性，而且为了实现上述进展，在集成电路加工及生产中需要相似的发展。在一个实例中，蚀刻制程(例如等离子体蚀刻)可因蚀刻制程的特性而意外地改变图样(pattern)的维度，还可导致短路、桥接(bridging)或其他品质及可靠度的问题。因此，提供不具有以上讨论的缺点的一种半导体制造系统及运用此系统的方法是被期望的。

发明内容

本公开实施例提供一种半导体制造设备，包括一来源腔室以及一加工腔室。来源腔室可操作以产生数个荷电粒子；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收荷电粒子。加工腔室包括一晶圆台以及一激光荷电粒子交互作用模块。晶圆台可操作以固定及移动晶圆；激光荷电粒子交互作用模块还包括一激光源、一光束分离器以及一反射镜。激光源产生第一激光光束；光束分离器配置以分离第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射镜配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新导向以与第二激光光束相交，以在荷电粒子的路径形成激光干涉图样，且激光干涉图样在微区域模式中调制荷电粒子，以使用被调制的荷电粒子加工晶圆。

本公开实施例提供一种半导体制造设备，包括一来源腔室、一加工腔室、一晶圆台以及一激光电子束交互作用模块。来源腔室可操作以产生电子束；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收数个荷电粒子；晶圆台配置在加工腔室中，可操作以固定及移动晶圆；激光电子束交互作用模块可操作以通过激光来调制电子束，以在使用电子束加工晶圆时，在微区域模式中具有空间图样。激光电子束交互作用模块具有一激光交互作用单元以及一电磁场交互作用单元，串联配置在电子束的路径上，使得电子束按序地通过激光交互作用单元以及电磁场交互作用单元而被调制。

本公开实施例提供一种半导体制造方法，包括加载一晶圆至一半导体制造设备之中，半导体制造设备包括：一来源腔室、一加工腔室、一晶圆台以及一激光荷电粒子交互作用模块。来源腔室可操作以产生数个荷电粒子；加工腔室与来源腔室结合，且配置以从来源腔室接收荷电粒子；晶圆台配置在加工腔室中，且可操作以固定及移动晶圆；激光荷电粒子交互作用模块还包括一激光源、一光束分离器以及一反射镜。激光源产生第一激光光束；光束分离器配置以分离第一激光光束成第二激光光束及第三激光光束；反射镜配置以反射第三激光光束，使得第三激光光束被重新导向以与第二激光光束相交，以在荷电粒子的路径形成激光干涉图样，且其中激光干涉图样在微区域模式中调制荷电粒子，以使用被调制的荷电粒子加工晶圆。上述方法还包括在半导体制造设备中产生荷电粒子；用荷电粒子干涉激光光束，使得荷电粒子被空间地调制；以及使用被调制的荷电粒子对晶圆执行半导体制程。

附图说明