[发明专利]硅晶绝缘体结构、半导体结构以及形成半导体结构的方法

权利要求书

1.一种硅晶绝缘体结构，包括：

一基板，包括：

一处理层；

一绝缘层，布设在该处理层之上；

一埋入层，布设在该绝缘层之上；

一保护层，布设在该埋入层之上；以及

一沟槽，从该埋入层的一上表面向下延伸，并在该处理层中终止；一介电层，位于该沟槽的一底表面上，并接触该处理层；以及

一多晶硅区域，位于该沟槽中，并接触该介电层；

其中该介电层包括一氧化物衬壁的一子层以及一氧化物衬垫的一子层，且该氧化物衬垫的该子层比该氧化物衬壁的该子层厚；

其中该介电层的一顶表面低于该保护层的一顶表面。

2.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该沟槽具有大于2微米的深度。

3.如权利要求2所述的硅晶绝缘体结构，其中该沟槽具有约3.5微米的深度。

4.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该介电层包括氧化硅。

5.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该介电层具有在500埃至0.1微米之间的范围的一厚度。

6.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该氧化物衬壁的该子层具有150埃至300埃之间的一厚度，而该氧化物衬垫的该子层具有350埃至1000埃之间的一厚度。

7.如权利要求6所述的硅晶绝缘体结构，其中该氧化物衬壁的该子层具有约250埃的一厚度，而该氧化物衬垫的该子层具有约500埃的一厚度。

8.如权利要求6所述的硅晶绝缘体结构，其中该氧化物衬垫包括四乙氧基硅烷。

9.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该介电层延伸至该沟槽的多个侧壁，且该多晶硅区域的一顶表面低于该介电层的该顶表面。

10.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，其中该处理层包括一块状硅晶圆。

11.如权利要求1所述的硅晶绝缘体结构，还包括一晶体管，形成在该埋入层上。

12.一种半导体结构，包括：

一基板，包括：

一处理层；

一绝缘层，布设在该处理层之上；

一埋入层，布设在该绝缘层之上；以及

一硬遮罩绝缘层，布设在该埋入层之上；

多个沟槽，其中所述沟槽的每一者从该埋入层的一上表面向下延伸，并在该处理层中终止；以及

一介电层，位于所述沟槽的每一者的一底表面上，并接触该处理层；

其中该介电层延伸至所述沟槽的多个侧壁，并包括一氧化物衬壁的一子层以及一氧化物衬垫的一子层，且该氧化物衬垫的该子层比该氧化物衬壁的该子层厚；

其中该介电层接触该埋入层，但并未接触该硬遮罩绝缘层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中：

通过所述沟槽将该埋入层分隔成多个功能区；以及

所述功能区的每一者是形成在所述沟槽的相邻的一对之间。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其中：

所述功能区包括一第一功能区以及一第二功能区，且该第二功能区小于该第一功能区。

15.如权利要求14所述的半导体结构，还包括：

一多晶硅区域，位于所述沟槽的每一者中，并接触该介电层；

一第一晶体管，形成在该第一功能区中的该埋入层上；以及

一第二晶体管，形成在该第二功能区中的该埋入层上，其中在一充电过程期间，该第一晶体管与该第二晶体管电性连接。

16.如权利要求12所述的半导体结构，其中所述沟槽的每一者具有大于2微米的深度。