[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成栅极叠层；

在所述栅极叠层的侧壁上形成第一栅极间隔件；

在所述第一栅极间隔件上形成第二栅极间隔件；

移除所述第二栅极间隔件的一部分，其中，保留所述第二栅极间隔件的至少一部分；

在所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件上形成接触蚀刻停止层；

移除所述第一栅极间隔件，以形成第一开口；以及

在移除所述第一栅极间隔件后，通过所述第一开口移除所述第二栅极间隔件的保留部分以限定气态间隔件，

其中，在与所述衬底的主表面平行的方向上，所述气态间隔件设置在所述栅极叠层和所述接触蚀刻停止层之间。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二栅极间隔件包括氮化硅。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一栅极间隔件包括氧化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，通过使用汽相氟化氢的蚀刻，移除所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的保留部分。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域，其中，在所述源极/漏极区域和所述衬底之间设置所述第二栅极间隔件的所述保留部分。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括在移除所述第二栅极间隔件的部分之后，在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域，其中，在移除所述第一栅极间隔件之前，外延生长所述源极/漏极区域。

7.根据权利要求1所述的方法，还包括在移除所述第一栅极间隔件之前，用金属栅极替换所述栅极叠层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，通过干法蚀刻，移除所述第一栅极间隔件和所述第二栅极间隔件的保留部分。

9.一种制造半导体器件的方法，包括：

在半导体衬底上形成栅极叠层；

在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔件；

在所述栅极叠层的相对侧上外延生长源极/漏极区域；

在所述栅极间隔件和所述源极/漏极区域上形成接触蚀刻停止层；

移除所述栅极间隔件的至少一部分，以形成开口；以及

沉积密封所述开口的介电层，并在所述栅极间隔件的侧壁上限定气态间隔件，其中，在与所述半导体衬底的主表面平行的方向上，所述气态间隔件设置在所述栅极叠层和所述接触蚀刻停止层之间。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，在外延生长所述源极/漏极区域之前，移除所述栅极间隔件的第一部分，并在外延生长所述源极/漏极区域之后，移除所述栅极间隔件的第二部分。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述栅极间隔件包括：在所述栅极叠层上沉积第一栅极间隔件层、在所述第一栅极间隔件层上沉积第二栅极间隔件层、以及在所述第二栅极间隔件层上沉积第三栅极间隔件层，所述第一栅极间隔件层、所述第二栅极间隔件层和所述第三栅极间隔件层中的每个包括不同的材料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一栅极间隔件层包括氮碳化硅、所述第二栅极间隔件层包括氮化硅，且所述第三栅极间隔件层包括氧化硅。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述第一部分包括所述第三栅极间隔件层的一部分。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述第二部分包括所述第二栅极间隔件层和所述第三栅极间隔件层的保留部分。