[发明专利]显示装置及其制造方法

权利要求书

1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：

基板；

所述基板上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；以及

在所述基板上并电连接到所述第一薄膜晶体管的显示器件，

其中，所述源极区、所述漏极区和所述沟道区包括第一掺杂剂和第二掺杂剂，所述第二掺杂剂不同于所述第一掺杂剂，以及

所述沟道区中的所述第一掺杂剂的浓度小于所述源极区和所述漏极区中的所述第一掺杂剂的浓度。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，其中，所述第一掺杂剂是p型掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二掺杂剂是惰性气体离子。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二掺杂剂的浓度在所述源极区、所述漏极区和所述沟道区中是均匀的。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述第一薄膜晶体管还包括栅电极、源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极分别连接到所述源极区和所述漏极区，以及

所述显示器件包括第一电极和面对所述第一电极的第二电极，所述第一电极电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个电极。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述显示器件还包括所述第一电极和所述第二电极之间的中间层，所述中间层包括发射层。

7.根据权利要求1所述的显示装置，其中：

所述第一薄膜晶体管的所述有源层包括多晶硅，并且

所述显示装置还包括第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管包括氧化物半导体。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述基板是柔性基板。

9.一种制造显示装置的方法，其中，所述方法包括：

在基板上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层，所述有源层包括源极区、漏极区以及所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；以及

形成电连接到所述薄膜晶体管的显示器件，

其中，形成所述薄膜晶体管包括：

在所述基板上形成非晶硅层；

利用第一掺杂剂和第二掺杂剂对所述非晶硅层进行掺杂，所述第二掺杂剂不同于所述第一掺杂剂；

使所述非晶硅层结晶；以及

通过将结晶的硅层图案化来形成所述有源层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，形成所述薄膜晶体管还包括：

在所述有源层上形成栅电极；

通过使用所述栅电极作为掩模，利用所述第一掺杂剂对所述有源层进行掺杂，在所述有源层上形成所述源极区、所述漏极区和所述沟道区；以及

形成分别连接到所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极，

其中，形成所述显示器件包括：形成电连接到所述源电极和所述漏电极中的一个电极的第一电极；以及

形成面对所述第一电极的第二电极。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述显示器件还包括：在所述第一电极和所述第二电极之间形成中间层，所述中间层包括发射层。

12.根据权利要求9所述的方法，其中，与使所述非晶硅层结晶同时地将所述第一掺杂剂和所述第二掺杂剂分散在所述非晶硅层中。

13.根据权利要求9所述的方法，其中，在350℃至450℃的温度下使所述非晶硅层结晶。

14.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一掺杂剂是p型掺杂剂。

15.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二掺杂剂是惰性气体离子。