[发明专利]半导体封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：

第一衬底，包括有源器件；

互连结构，位于所述第一衬底上面，并且包括多个金属层以及连接所述多个金属层的通孔，所述互连结构电耦合至所述有源器件；

密封环结构，位于所述第一衬底上面并且沿着所述第一衬底的外围，所述密封环结构包括多个金属层以及连接多个金属层的通孔，所述密封环结构具有最顶部金属层，所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述密封环结构的金属层，所述密封环结构的所述最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构，所述内金属结构与所述外金属结构间隔开；以及

聚合物层，位于所述密封环结构上方，所述聚合物层具有最外边缘，所述最外边缘位于所述密封环结构的所述外金属结构的顶面上方，所述聚合物层的所述最外边缘横向位于所述密封环结构的所述外金属结构的侧壁之间。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封环结构的所述外金属结构具有第一高度和第一宽度，并且其中，所述外金属结构与所述内金属结构间隔开第一间距，其中，所述第一高度除以所述第一间距小于3。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述密封环结构的所述外金属结构具有第一高度和第一宽度，并且其中，所述聚合物层的最外边缘和所述密封环结构的所述外金属结构的最外边缘的距离为第一距离，所述第一距离小于或等于所述第一宽度的一半。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括：

钝化层，位于所述密封环结构的所述最顶部金属层和所述聚合物层之间，所述钝化层是共形层。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构和所述密封环结构位于所述第一集成电路管芯中的相同层级处。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述互连结构还包括最顶部金属层，所述互连结构的所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述互连结构的金属层，所述互连结构的所述最顶部金属层位于与所述密封环结构的所述最顶部金属层相同的层级处。

7.根据权利要求6所述的半导体封装件，还包括：

导电连接件，位于所述聚合物层上，所述导电连接件延伸穿过所述聚合物层以电耦合至所述互连结构的所述最顶部金属层。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，还包括：

第二衬底，所述第一集成电路管芯通过所述导电连接件电耦合并且接合到所述第二衬底。

9.根据权利要求6所述的半导体封装件，其中，所述互连结构和所述密封环结构的所述最顶部金属层由铜制成。

10.一种半导体封装件，包括：

第一管芯，所述第一管芯包括：

第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的第一表面中具有有源器件；

多个介电层，位于所述第一半导体衬底的所述第一表面上方；

多个金属层和通孔，位于所述多个介电层中，所述多个金属层和通孔包括：

所述多个金属层和通孔的第一部分，电耦合至所述有源器件；和

所述多个金属层和通孔的第二部分，沿着所述第一半导体衬底的外围，所述多个金属层和通孔的所述第二部分围绕所述多个金属层和通孔的所述第一部分；

第一钝化层，位于所述多个介电层和所述多个金属层和通孔上方；

第一再分布层，位于所述第一钝化层上方，并且延伸穿过所述第一钝化层以物理接触所述多个金属层和通孔的所述第一部分；

第二再分布层，位于所述第一钝化层上方，并且延伸穿过所述第一钝化层，以物理接触所述多个金属层和通孔的所述第二部分；

第三再分布层，位于所述第一钝化层上方并且延伸穿过所述第一钝化层以物理接触所述多个金属层和通孔的所述第二部分；以及

聚合物层，位于所述第一再分布层和所述第二再分布层上方，所述聚合物层具有最外边缘，所述最外边缘位于所述第二再分布层的顶面上方并且横向位于所述第二再分布层的所述顶面的边界内。