[发明专利]半导体封装件及其形成方法

说明书

半导体封装件包括：第一管芯，具有第一衬底；互连结构，位于第一衬底上面并且具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔；密封环结构，位于第一衬底上面并且沿着第一衬底的外围，密封环结构具有多个金属层以及连接多个金属层的通孔，该密封环结构具有最顶部金属层，最顶部金属层是最远离第一衬底的密封环结构的金属层，密封环结构的最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构；以及聚合物层，位于密封环结构上方，该聚合物层具有最外边缘，该最外边缘位于密封环结构的外金属结构的顶面上方并且与密封环结构的外金属结构的顶面对准。本发明的实施例还涉及半导体封装件的形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体封装件及其形成方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机、数码相机和其他电子设备。通常通过在半导体衬底上方顺序沉积绝缘或介电层、导电层和半导体材料层，并使用光刻图案化各种材料层以在材料层上形成电路组件和元件来制造半导体器件。

半导体工业通过不断减小最小部件尺寸来不断提高各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许将更多的组件集成到给定区域中。在一些应用中，这些较小的电子组件也需要利用比常规封装件更小的面积或更小的高度的较小封装件。

因此，新的封装技术已经开始开发。用于半导体器件的这些相对新型的封装技术面临制造挑战。

发明内容

本发明的实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一集成电路管芯，所述第一集成电路管芯包括：第一衬底，包括有源器件；互连结构，位于所述第一衬底上面并且包括多个金属层以及连接所述多个金属层的通孔，所述互连结构电耦合至所述有源器件；密封环结构，位于所述第一衬底上面并且沿着所述第一衬底的外围，所述密封环结构包括多个金属层以及连接多个金属层的通孔，所述密封环结构具有最顶部金属层，所述最顶部金属层是最远离所述第一衬底的所述密封环结构的金属层，所述密封环结构的所述最顶部金属层具有内金属结构和外金属结构，所述内金属结构与所述外金属结构间隔开；以及聚合物层，位于所述密封环结构上方，所述聚合物层具有最外边缘，所述最外边缘位于所述密封环结构的所述外金属结构的顶面上方，所述聚合物层的所述最外边缘横向位于所述密封环结构的所述外金属结构的侧壁之间。

本发明的另一实施例提供了一种半导体封装件，包括：第一管芯，所述第一管芯包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底的第一表面中具有有源器件；多个介电层，位于所述第一半导体衬底的所述第一表面上方；多个金属层和通孔，位于所述多个介电层中，所述多个金属层和通孔包括：所述多个金属层和通孔的第一部分，电耦合至所述有源器件；和所述多个金属层和通孔的第二部分，沿着所述第一半导体衬底的外围，所述多个金属层和通孔的所述第二部分围绕所述多个金属层和通孔的所述第一部分；第一钝化层，位于所述多个介电层和所述多个金属层和通孔上方；第一再分布层，位于所述第一钝化层上方，并且延伸穿过所述第一钝化层以物理接触所述多个金属层和通孔的所述第一部分；第二再分布层，位于所述第一钝化层上方，并且延伸穿过所述第一钝化层，以物理接触所述多个金属层和通孔的所述第二部分；以及聚合物层，位于所述第一再分布层和所述第二再分布层上方，所述聚合物层具有最外边缘，所述最外边缘位于所述第二再分布层的顶面上方并且横向位于所述第二再分布层的所述顶面的边界内。